[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的导体化处理会导致有源层失去半导体性能或者TFT沟道长度在基板上分布均一性差的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括在导体化区域的邻接半导体区域的一侧形成过孔的步骤，该过孔可以防止导体化区域向半导体区域扩散，可以避免有源层的中部被扩散形成导体。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着显示器尺寸的不断增大，非晶硅薄膜晶体管出现了电子迁移率不足、均一性较差的问题，为了解决上述问题，使用IGZO、ITZO、IZO等氧化物半导体材料取代非晶硅作为有源层的技术应运而生。

在进行薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)制备时，为了保证TFT中的源极和漏极(S/D)与IGZO有很好的接触，减小S/D搭接阻抗，提升TFT的性能，需对有源层的边缘用于与源漏极接触的位置进行导体化处理。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：有源层的边缘导体化处理后无法避免导体化扩散问题，导体化扩散会致使有源层的中部被扩散形成导体，失去半导体性能或者造成TFT沟道长度在基板上分布均一性较差。

发明内容

本发明针对现有的导体化处理会导致有源层失去半导体性能或者TFT沟道长度在基板上分布均一性差的问题，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底上形成氧化物有源层，以及源极和漏极的步骤，其中，所述氧化物有源层包括相连接的导体化区域和半导体区域，所述源极和漏极与所述导体化区域电连接；

所述方法还包括在导体化区域的邻接半导体区域的一侧形成过孔的步骤。

可选的是，所述形成氧化物有源层具体包括以下步骤：

在衬底上形成氧化物半导体材料且包括过孔的图形，所述氧化物半导体材料的图形包括相连接的导体化区域和半导体区域，所述过孔位于导体化区域的邻接半导体区域的一侧；

对导体化区域的氧化物半导体材料进行导体化处理得到氧化物有源层。

可选的是，所述对导体化区域进行导体化处理包括采用离子轰击的方式，将导体化区域的氧化物半导体材料氢化或去氧化。

可选的是，所述形成氧化物有源层，以及源极和漏极具体包括以下步骤：

在衬底上方形成氧化物有源层；

在完成上述步骤的衬底上形成栅绝缘层；

在完成上述步骤的衬底上形成栅极；

在完成上述步骤的衬底上形成层间绝缘层；

在完成上述步骤的衬底上形成源极和漏极。

可选的是，所述过孔包括侧壁，其中，远离半导体化区域的侧壁为第一侧壁；所述源极和漏极覆盖至少部分第一侧壁。

本发明还提供一种薄膜晶体管，包括衬底，设于所述衬底上方的氧化物有源层，以及源极和漏极，所述氧化物有源层包括相连接的导体化区域和半导体区域，所述源极和漏极与所述导体化区域电连接；其中，所述导体化区域靠近半导体区域的一侧设有过孔。

可选的是，所述导体化区域由与半导体区域相同的氧化物半导体材料氢化或去氧化后构成。

可选的是，所述导体化区域在过孔处形成侧面，其中，远离半导体化区域的侧面为第一侧面；所述源极和漏极覆盖至少部分第一侧面。

可选的是，所述薄膜晶体管为顶栅型。