[发明专利]SAR-DAC器件及其工作方法

权利要求书

1.一种SAR-DAC器件，其特征在于，包括：

比较器，所述比较器具有正输入端和负输入端；

DAC核心单元，所述DAC核心单元包括：第一电容，第一电容具有第一充放电端，第一充放电端与所述正输入端连接；第二电容，第二电容具有第二充放电端，第二充放电端与所述负输入端连接；电流控制放电结构；

所述电流控制放电结构包括若干个电流束电路单元，各个电流束电路单元均包括第一放电输入端和第二放电输入端，各第一放电输入端均与第一充放电端连接，各第二放电输入均与第二充放电端连接；所述电流控制放电结构适于采用至少部分数量的电流束电路单元通过第一放电输入端对第一电容放电，所述电流控制放电结构还适于采用至少部分数量的电流束电路单元通过第二放电输入端对第二电容放电；

各个电流束电路单元均包括：第一控制单元、第二控制单元和电流束镜像单元，第一控制单元与电流束镜像单元连接，第二控制单元与电流束镜像单元连接，第一控制单元适于导通或断开第一放电输入端至电流束镜像单元的放电路径，第二控制单元适于导通或断开第二放电输入端至电流束镜像单元的放电路径。

2.根据权利要求1所述的SAR-DAC器件，其特征在于，所述第一控制单元包括第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管的类型为P型，第一MOS晶体管的源极为第一放电输入端；

第二控制单元包括第二MOS晶体管，第二MOS晶体管的类型为P型，第二MOS晶体管的源极为第二放电输入端；

所述电流束镜像单元包括第三MOS晶体管，第三MOS晶体管的类型为N型，第三MOS晶体管的漏极分别与第一MOS晶体管的漏极以及第二MOS晶体管的漏极连接，第三MOS晶体管的源极接地。

3.根据权利要求1所述的SAR-DAC器件，其特征在于，所述电流控制放电结构还包括：正温度系数电路单元、负温度系数电路单元和偏置输出单元，所述偏置输出单元包括第一输出单元、第二输出单元和第三输出单元，第一输出单元与负温度系数电路单元连接，第二输出单元与正温度系数电路单元连接，第一输出单元的输出端和第二输出单元的输出端均与第三输出单元的输入端连接，第一输出单元适于输出负温度系数电流至第三输出单元，第二输出单元适于输出正温度系数电流至第三输出单元；

各个电流束电路单元包括电流束镜像单元，各个电流束镜像单元均与所述第三输出单元的输入端连接，所述第三输出单元与所述电流束镜像单元为电流镜，所述第三输出单元中的电流适于镜像至各电流束镜像单元中。

4.根据权利要求3所述的SAR-DAC器件，其特征在于，所述第一输出单元包括第四MOS晶体管，第四MOS晶体管的类型为P型，第四MOS晶体管的漏极为第一输出单元的输出端；

所述负温度系数电路单元包括第六MOS晶体管，第七MOS晶体管、第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第一双极型晶体管和第一电阻，第六MOS晶体管和第七MOS晶体管的类型为P型，第八MOS晶体管和第九MOS晶体管的类型为N型，第六MOS晶体管的源极、第七MOS晶体管的源极和第四MOS晶体管的源极连接至电源线，第六MOS晶体管的栅极、第七MOS晶体管的栅极、第七MOS晶体管的漏极、第九MOS晶体管的漏极和第四MOS晶体管的栅极连接在一起，第八MOS晶体管的栅极、第九MOS晶体管的栅极、第八MOS晶体管的漏极和第六MOS晶体管的漏极连接在一起，第八晶体管的源极与第一双极型晶体管的发射极连接，第一双极型晶体管的基极与第一双极型晶体管的集电极连接，第九MOS晶体管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端和第一双极型晶体管的集电极连接至地线。