[发明专利]一种有机发光二极管和显示面板在审
| 申请号： | 201910024646.6 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109755403A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 高建;罗志忠;丁德宝;杨艳芳;梁迪;韩赛赛 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 张海英 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机发光二极管 阴极 激子限制层 有机发光层 空穴 空穴传输 显示面板 阳极 层叠设置 电子传输 电子复合 发光性能 复合平衡 降低电压 中空穴 激子 减小 升高 迁移 传输 概率 | ||
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括层叠设置的阳极、有机发光层和阴极；还包括激子限制层，所述激子限制层设置于所述有机发光层远离所述阴极的表面和所述阴极之间；
其中，所述激子限制层用于限制空穴传输以及迁移电子。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层设置于所述阴极和所述有机发光层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层的水平面积等于所述有机发光层的水平面积。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层嵌入在所述有机发光层内。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层的水平面积小于所述有机发光层的水平面积。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层的厚度范围为
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层的材料为绝缘材料。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述激子限制层的材料为第一主族元素与第七主族元素形成的无机盐或者为第一主族元素形成的碳酸盐。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，以及层叠设置的电子注入层和电子传输层；
所述空穴注入层设置于所述有机发光层与所述阳极之间，所述空穴传输层设置于所述有机发光层与所述空穴注入层之间；所述电子注入层设置于所述激子限制层与所述阴极之间，所述电子传输层设置于所述电子注入层与所述激子限制层之间。
10.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个像素单元；
其中，所述像素单元包括权利要求1-9任一项所述的有机发光二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
