[发明专利]一种探测器、探测器的制造方法和显示装置有效
申请号: | 201910025016.0 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109830562B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种探测器,其特征在于,包括:
射线转化层,将探测射线转化为可见光;
感测器基板,设置在所述射线转化层的下方,包括主动开关和感光器件,所述主动开关与所述感光器件连接,所述感光器件将可见光转化为电信号,所述主动开关输出对应所述感光器件的电信号;以及
驱动电路,驱动所述感测器基板;
其中,所述感光器件包括富硅材料,其中所述富硅材料中硅的摩尔量占整个富硅材料化合物摩尔量的一半以上;
其中,所述感光器件包括本征层、第一掺杂层和第二掺杂层,所述第二掺杂层和本征层为富硅材料,所述第一掺杂层不含所述富硅材料;
所述主动开关包括源漏电极层,所述第一掺杂层设置在所述源漏电极层的表面,所述本征层设置在所述第一掺杂层的表面,所述第二掺杂层设置在所述本征层的表面。
2.如权利要求1所述的一种探测器,其特征在于,所述富硅材料为氮化硅,其化学式为SiNx,其中0.1x0.85,x表示氮化硅化合物中氮的摩尔量。
3.如权利要求1所述的一种探测器,其特征在于,所述探测器还包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层设置在所述射线转化层和所述感测器基板之间,所述第二保护层设置在所述射线转化层的外表面。
4.如权利要求3所述的一种探测器,其特征在于,所述第二保护层含有铝和聚对二甲苯。
5.如权利要求1所述的一种探测器,其特征在于,所述驱动电路包括栅极驱动芯片,所述栅极驱动芯片控制所述感测器基板,所述感测器基板包括多条扫描线和多条读出数据线,所述扫描线一端和所述栅极驱动芯片连接,另一端连接到所述主动开关的栅极金属线,所述主动开关的输出端与对应的读出数据线连接,输出对应所述感光器件的电信号;所述栅极驱动芯片设置在所述感测器基板上。
6.一种如权利要求1-5任意一项所述的探测器的制造方法,其特征在于,包括步骤:
形成感测器基板的主动开关和感光器件,并形成驱动电路以驱动所述感测器基板;以及
在所述感测器基板上方形成射线转化层;
其中,在所述形成感测器基板的主动开关和感光器件,并形成驱动电路以驱动所述感测器基板的步骤中,所述感光器件包括富硅材料,其中所述富硅材料中硅的摩尔量占整个富硅材料化合物摩尔量的一半以上;所述感光器件包括本征层、第一掺杂层和第二掺杂层,所述第二掺杂层和本征层为富硅材料,所述第一掺杂层不含所述富硅材料;所述主动开关包括源漏电极层,所述第一掺杂层设置在所述源漏电极层的表面,所述本征层设置在所述第一掺杂层的表面,所述第二掺杂层设置在所述本征层的表面。
7.如权利要求6所述的一种探测器的制造方法,其特征在于,所述形成感测器基板的主动开关和感光器件,并形成驱动电路以驱动所述感测器基板的步骤之前还包括以下步骤:
获取感光器件预设的吸收可见光的波长;
根据上述波长计算富硅材料中硅的摩尔量占整个富硅材料化合物摩尔量的比例;以及
根据上述比例选用对应的富硅材料以形成感光器件。
8.一种显示装置,其特征在于,包括探测射线发射器、显示器和如权利要求1至5任意一项所述的探测器;
所述探测射线发射器发射出探测射线;
所述探测器的感测器基板包括多个主动开关和与所述主动开关一一对应的感光器件;
所述探测器的多个所述感光器件将多个点接收到的可见光分别转化为对应的电信号,通过多个所述主动开关输出,形成图像;
所述显示器将所述探测器形成的图像显示出来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的