[发明专利]一种半导体材料表面能级能带调控的方法

权利要求书

1.一种半导体材料表面能级能带调控的方法，包括以下步骤：

步骤1.将半导体材料FTO依次置于丙酮、无水乙醇和水中超声清洗，烘干备用；

步骤2.将步骤1清洗干净的半导体材料置于等离子处理仪器腔室中的金属下极板之上，两块金属极板的板间距为30mm～50mm，上极板接20MHz～40MHz射频电源，下极板接10MHz～15MHz射频电源；

步骤3.抽真空，使等离子处理仪腔室保持本底真空度小于10^-2Pa；然后往真空腔室中充入工作气体，使得腔室内工作气压保持为1Pa～20Pa，其中，所述工作气体为氧气、氩气和氧气混合气体、或氩气和臭氧混合气体；

步骤4.设置上极板放电功率为50W～200W，下极板放电功率为10W～50W，上下极板同时放电，进行等离子处理，即可制备得到表面能级能带不同的半导体材料。

2.如权利要求1所述的半导体材料表面能级能带调控的方法，其特征在于，步骤4中等离子处理时间为1min～15min。