[发明专利]能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2

权利要求书

1.能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构，包括依次连接的玻璃衬底(1)、背电极(2)、底层Cu-Sn合金层（3）、ZnS层（4）和顶层Cu-Sn合金层（5），背电极(2)为Mo薄膜，其特征在于，所述的底层Cu-Sn合金层（5）与顶层合金层（3）总厚度为420 nm，其厚度比例为1:2；

其中，底层Cu-Sn合金层（3）厚度为140 nm；

ZnS层（4）厚度为250-255 nm；

顶层Cu-Sn合金层（5）厚度为280 nm；

预制层结构中，Cu/(Zn+Sn)=0.75，Zn/Sn=1.05。

2.根据权利要求1所述的预制层结构，其特征在于，背电极(2)的厚度为1μm。

3.根据权利要求1所述的预制层结构，其特征在于，底层Cu-Sn合金层（3）为磁控溅射沉积的Cu-Sn合金薄膜。

4.根据权利要求1所述的预制层结构，其特征在于，ZnS层（4）为磁控溅射沉积的ZnS薄膜。

5.根据权利要求1所述的预制层结构，其特征在于，顶层Cu-Sn合金层（5）为磁控溅射沉积的Cu-Sn合金薄膜。

6.根据权利要求2所述的预制层结构，其特征在于，采用单靶直流磁控溅射在玻璃衬底（1）上沉积Mo薄膜作为背电极(2)，靶材为99.99%纯度的金属Mo靶，溅射气体为高纯氩气，气体流量20mL/min，抽真空至5×10^-4Pa，溅射功率为80W，所沉积薄膜厚度为1μm。

7.根据权利要求3所述的预制层结构，其特征在于，采用射频磁控溅射在背电极(2)上沉积Cu-Sn合金薄膜作为底层Cu-Sn合金层（3），溅射气体为高纯氩气，气体流量5.5 sccm，抽真空至5×10^-4Pa，溅射靶材为Cu-Sn合金靶，功率为85 W，溅射厚度为140 nm。

8.根据权利要求4所述的预制层结构，其特征在于，采用射频磁控溅射在底层Cu-Sn合金层（3）上沉积ZnS薄膜作为ZnS层（4），溅射气体为高纯氩气，气体流量5.5 sccm，抽真空至5×10^-4Pa，靶材为Cu-Sn合金靶，功率为50 W，溅射厚度为250-255 nm。

9.根据权利要求5所述的预制层结构，其特征在于，采用射频磁控溅射在ZnS层（4）上沉积Cu-Sn合金薄膜作为顶层Cu-Sn合金层（5）；溅射气体为高纯氩气，气体流量5.5 sccm，抽真空至5×10^-4Pa，靶材为Cu-Sn合金靶，功率为85 W，溅射厚度为280 nm。

10.能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用直流磁控溅射单靶在玻璃衬底（1）上沉积Mo薄膜作为背电极（2），靶材为纯度99.99%的金属Mo靶，溅射气体为高纯氩气，气体流量20mL/min，抽真空至5×10^-4Pa，溅射功率为80W，沉积厚度为1μm；

(2)在背电极（2）上采用磁控溅射依次沉积底层Cu-Sn合金层（3）、ZnS层（4）和顶层Cu-Sn合金层（5），沉积底层Cu-Sn合金层（3）和顶层Cu-Sn合金层（5）时靶材为Cu-Sn合金靶，沉积ZnS层（4）时靶材为ZnS靶，溅射气体为高纯氩气，气体流量5.5 sccm，抽真空至5×10^-4Pa，溅射Cu-Sn合金靶和ZnS靶的功率分别为85 W和50 W，底层Cu-Sn合金层（3）厚度为140 nm ，ZnS层（4）厚度为250~255 nm，顶层Cu-Sn合金层（5）厚度为280 nm。