[发明专利]半导体芯片以及包括该半导体芯片的半导体封装有效
申请号: | 201910025915.0 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN110071087B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 金明寿;闵成植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L25/18;H10B80/00;H01L23/482 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 以及 包括 封装 | ||
1.一种半导体芯片,包括:
基板,包括具有矩形形状的电路区域和围绕所述电路区域的外围区域;
键区域,与所述电路区域的一部分和所述外围区域的一部分重叠;
多个驱动电路单元,在所述电路区域中;以及
导电参考线,在所述外围区域上并在第一方向上延伸,所述第一方向平行于所述电路区域的所述矩形形状的四个边缘中的第一边缘。
2.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述电路区域的所述第一边缘在所述第一方向上的长度与所述导电参考线在所述第一方向上的长度基本上相同。
3.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述导电参考线在所述第一方向上的长度大于所述键区域在所述第一方向上的长度。
4.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述电路区域的所述矩形形状包括基本上垂直于所述第一方向的第二边缘,并且
其中所述第一边缘比所述第二边缘长。
5.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述导电参考线延伸越过所述键区域的整个长度。
6.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述导电参考线包括多个导电参考线,并且
其中所述多个导电参考线中的导电参考线与所述电路区域的与所述第一方向平行的相应边缘相邻。
7.如权利要求1所述的半导体芯片,还包括:
多个电极焊盘,在所述电路区域和所述导电参考线之间的所述外围区域中,
其中所述多个电极焊盘布置在所述第一方向上。
8.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述导电参考线比所述第一边缘更靠近所述外围区域的外边缘。
9.如权利要求1所述的半导体芯片,其中所述导电参考线在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度是基本上均匀的。
10.如权利要求9所述的半导体芯片,其中所述导电参考线在所述第二方向上的宽度宽于所述键区域在所述第二方向上的宽度,并且
其中所述键区域包括在光刻工艺中使用的多个对准键。
11.一种半导体芯片,包括:
基板,包括电路区域和在所述电路区域的四侧的外围区域;
键区域,与所述电路区域的部分和所述外围区域的部分重叠,其中所述键区域包括工艺图案;以及
导电参考线,延伸跨过所述外围区域中的所述键区域。
12.如权利要求11所述的半导体芯片,其中所述基板在第一方向上和在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸,
其中所述电路区域在所述第一方向上的长度大于所述电路区域在所述第二方向上的长度,并且
其中所述导电参考线在所述第一方向上延伸。
13.如权利要求11所述的半导体芯片,其中所述工艺图案在所述导电参考线和所述基板之间。
14.如权利要求11所述的半导体芯片,还包括在所述电路区域中的多个导电图案,
其中所述导电图案中的最上导电图案在与所述导电参考线基本上相同的水平处。
15.如权利要求11所述的半导体芯片,还包括在所述外围区域中且与所述电路区域相邻的多个电极焊盘,
其中所述导电参考线和所述多个电极焊盘处于基本上相同的水平。
16.如权利要求11所述的半导体芯片,其中所述基板还包括:
沟槽;
在所述沟槽内的场电介质;和
由所述场电介质限定的在所述基板的上部内的有源区域,
其中所述有源区域的在所述键区域中的部分被所述场电介质围绕。
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