[发明专利]包括两步包封的制造电子器件的方法和相关器件有效
申请号: | 201910025993.0 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN109742032B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | K-Y·吴;Y·马;张学仁 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/49;H01L23/367;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 两步包封 制造 电子器件 方法 相关 器件 | ||
1.一种制造电子器件的方法,所述方法包括:
将集成电路IC裸片定位在格栅阵列衬底的上表面上,所述格栅阵列衬底在其下表面上具有多个连接;
用键合接线将所述IC裸片的相应的键合焊盘耦接至所述格栅阵列衬底;
在所述IC裸片和所述键合接线之上形成第一包封层;
在形成所述第一包封层之后将散热器定位在所述衬底上,位于所述第一包封层上方;以及
在所述第一包封层之上形成第二包封层并且将所述散热器嵌入在所述第二包封层中;
所述第一包封层和所述第二包封层各自包括相同的包封材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述IC裸片是矩形形状的,并且其中,形成所述第一包封层包括将所述第一包封层形成为延伸跨过并且覆盖所述矩形形状的IC裸片的每个拐角。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述IC裸片包括低k夹层电介质。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述第一包封层包括在所述IC之上施加包封材料本体,以及固化所述包封材料本体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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