[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能区和包围功能区的非功能区，所述晶圆表面具有第一介质层；在所述非功能区的第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成第一连接层，所述第一连接层封闭第一开口的顶部，且所述第一连接层内有第一空隙。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体器件制备过程中，在晶圆中形成电路之后，需要对所述晶圆进行切割，所述切割是将晶圆分割为电路体系完整的芯片或者晶粒单位的过程。

然而，现有技术切割晶圆形成芯片时，易对芯片造成损伤。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以减少对功能区的损伤。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能区和包围功能区的非功能区，所述晶圆表面具有第一介质层；在所述非功能区的第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成第一连接层，所述第一连接层封闭第一开口的顶部，且所述第一连接层内具有第一空隙。

可选的，所述第一开口的深宽比为：1:1～11:1。

可选的，所述第一介质层与晶圆之间还具有第一金属层。

可选的，所述第一开口贯穿第一介质层。

可选的，所述第一连接层的材料包括金属。

可选的，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述第一介质层和第一连接层的表面形成第二金属层。

可选的，所述第一连接层的材料包括铜、铝或者钨；所述第一连接层的形成工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。

可选的，所述第一开口的形成方法包括：在所述第一介质层顶部形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出非功能区第一介质层的部分顶部表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，直至暴露出第一金属层顶部表面，在所述第一介质层内形成所述第一开口。

可选的，形成所述第二金属层之后，还包括：在所述第二金属层表面形成至少一层第二介质层；在各层所述第二介质层内形成第二开口；在所述第二开口内形成第二连接层，所述第二连接层封闭第二开口顶部，且所述第二连接层内具有第二空隙。

可选的，所述第二开口的深宽比为：1:1～11:1。

可选的，当所述第二介质层的层数大于1层时，每形成所述第二连接层之后，形成下一层第二介质层之前，还包括：在所述第二连接层和第二介质层表面形成第三金属层；所述第二开口贯穿所述第二介质层。

可选的，所述晶圆还包括切割区，所述切割区包围非功能区。

可选的，形成第一连接层之后，还包括：在所述切割区对晶圆进行切割工艺，形成若干个芯片。

可选的，第一开口的数量：1个或多个。

可选的，每一层第二介质层内的第二开口的数量：1个或多个。

相应的，本发明还提供一种半导体结构，包括：晶圆，所述晶圆包括功能区和包围功能区的非功能区，所述晶圆表面具有第一介质层；位于所述非功能区第一介质层内的第一开口；位于所述第一开口内的第一连接层，所述第一连接层封闭第一开口的顶部，且所述第一连接层内具有第一空隙。

可选的，所述第一开口的深宽比为：1:1～11:1。