[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审

申请号：	201910026268.5	申请日：	2019-01-11
公开（公告）号：	CN110047778A	公开（公告）日：	2019-07-23
发明（设计）人：	野中纯;丸山裕隆;福田喜辉;池田义谦;谷口裕树	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/02
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	干燥处理处理液基片处理装置检测喷嘴残留液背面测量对象区域存储介质基片处理基片干燥检测结果排出
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【说明书】：

本发明能够检测干燥处理后的基片背面的残留液。实施方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴、检测部和控制部。保持部保持基片并使其旋转。喷嘴向基片的背面排出处理液。检测部测量对象区域内的物体的温度。控制部控制保持部控制，在进行了干燥处理后，根据检测部的检测结果，判断在基片的背面有无处理液的残留液，其中该干燥处理使基片旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥。

技术领域

本发明的实施方式涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

背景技术

一直以来，已知对半导体晶片和玻璃基片等基片的背面供给处理液来处理基片的背面的基片处理装置。

在这种基片处理装置中，在对基片的背面供给处理液后，进行使基片以高速旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥的干燥处理(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-123335号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在上述的现有技术中，有时在干燥处理后的基片的背面产生处理液残存而成的残留液。在基片的背面产生残留液时，例如存在在下一步骤的装置中保持基片的保持部被污染等不良状况的可能性。

实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够检测干燥处理后的基片背面的残留液的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

用于解决技术问题的技术方案

实施方式的一个方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴、检测部和控制部。保持部保持基片并使其旋转。喷嘴向基片的背面排出处理液。检测部测量对象区域内的物体的温度。控制部控制保持部，在进行了干燥处理后，根据检测部的检测结果，判断在基片的背面有无处理液的残留液，其中该干燥处理使基片旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥。

发明效果

依照实施方式的一个方式，能够检测干燥处理后的基片背面的残留液。

附图说明

图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。

图2是表示处理单元的概略构成的图。

图3是表示处理单元的具体的构成的图。

图4是表示支承部位于上方位置时的处理单元的状态的图。

图5是示意地表示检测部的检测结果的图。

图6是表示在处理单元进行的基片处理的顺序的流程图。

图7是表示恢复处理的顺序的流程图。

图8是调节恢复用冲洗处理的处理时间的处理的说明图。

图9是表示第一变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。