[发明专利]无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件在审
| 申请号： | 201910026870.9 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110028948A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 元裕镐;元那渊;黄成宇;张银珠;权秀暻;金龙郁;闵智玄;G.朴;朴相铉;章效淑;田信爱;韩用锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G03F7/004;G03F7/027;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体纳米晶体 量子点 无镉 聚合物复合物 显示器件 制造 | ||
1.无镉量子点，包括：
包括铟和磷的半导体纳米晶体核，
设置在所述半导体纳米晶体核上且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳，以及
设置在所述第一半导体纳米晶体壳上且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，
其中所述无镉量子点不包括镉，和
其中所述无镉量子点具有大于80％的量子产率，和
其中当所述无镉量子点具有在600纳米至650纳米范围内的光致发光峰值波长时，铟对硫和硒的总和的摩尔比大于或等于0.06:1且小于或等于0.3:1，或
其中当所述无镉量子点具有在500纳米至550纳米范围内的光致发光峰值波长时，铟对硫和硒的总和的摩尔比大于或等于0.027:1且小于或等于0.1:1。
2.如权利要求1所述的无镉量子点，其中在所述无镉量子点的紫外-可见吸收光谱中，450纳米的强度对第一吸收峰波长的强度的比率大于或等于1.1:1。
3.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述半导体纳米晶体核进一步包括锌。
4.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述第一半导体纳米晶体壳不包括硫。
5.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述第一半导体纳米晶体壳直接设置在所述半导体纳米晶体核的表面上。
6.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述第一半导体纳米晶体壳的厚度为大于或等于3个单层且小于或等于10个单层。
7.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述第二半导体纳米晶体壳为所述无镉量子点的最外层。
8.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述第二半导体纳米晶体壳直接设置在所述第一半导体纳米晶体壳的表面上。
9.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述无镉量子点具有在600纳米至650纳米范围内的光致发光峰值波长，并且铟对硫和硒的总和的摩尔比大于或等于0.064:1且小于或等于0.25:1。
10.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述无镉量子点具有在500纳米至550纳米范围内的光致发光峰值波长，并且铟对硫和硒的总和的摩尔比大于或等于0.030:1且小于或等于0.065:1。
11.如权利要求1所述的无镉量子点，其中在所述无镉量子点的紫外-可见吸收光谱中，450纳米的强度对第一吸收峰波长的强度的比率大于或等于1.5:1。
12.如权利要求1所述的无镉量子点，其中每1克所述无镉量子点的蓝光吸收率大于或等于1。
13.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述无镉量子点具有大于85％的量子产率。
14.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述无镉量子点的第一吸收峰波长存在于大于450纳米且小于所述无镉量子点的光致发光峰值波长的范围内。
15.如权利要求1所述的无镉量子点，其中所述无镉量子点的半宽度小于或等于44纳米。
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