[发明专利]一种晶圆清洗方法

权利要求书

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a.将经过化学平坦化的晶圆投入表面活化处理槽进行清洗，所述表面活化处理槽中含有烷基醇聚氧乙烯醚的第一氨水溶液；

步骤b.将经过步骤a清洗的晶圆放置于含有烷基醇聚氧乙烯醚的第二氨水溶液的兆声清洗槽中，进行兆声清洗；

步骤c.将经过步骤b清洗的晶圆放入第一刷洗槽，依次采用去离子水刷洗、SC1溶液清洗和去离子水刷洗；

步骤d.将经过步骤c清洗的晶圆放入第二刷洗槽，依次采用DHF溶液清洗和去离子水进行刷洗；

步骤e.将经过步骤d清洗的晶圆放置于旋转湿润干燥槽，依次进行氨水溶液清洗、去离子水清洗、以及晶圆干燥，处理得到最终晶圆。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤a中，所述晶圆在所述表面活化处理槽的清洗时间为10-60s。

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤a中，所述第一氨水溶液循环流入表面活化处理槽，对晶圆进行冲洗。

4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤b中，所述兆声清洗在恒温下进行。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤c中具体包括以下步骤：

步骤c1.将晶圆竖直放置于第一刷洗槽内且在竖直面内旋转，采用去离子水对晶圆进行冲洗，同时第一刷子绕水平轴线旋转且对所述晶圆进行刷洗；

步骤c2.将SC1用水稀释5-15倍获得SC1溶液，采用SC1溶液对晶圆进行冲洗；

步骤c3.采用去离子水对晶圆进行冲洗，同时采用第一刷子对所述晶圆进行刷洗。

6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤d中具体包括以下步骤：

步骤d1.将晶圆竖直放置于第二刷洗槽内且在竖直面内旋转，将DHF用水稀释到质量百分比为0.05％-0.2％的DHF溶液，采用DHF溶液对晶圆进行冲洗；

步骤d2.采用去离子水对晶圆进行冲洗，同时第二刷子绕水平轴线旋转且对所述晶圆进行刷洗。

7.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述步骤e中具体包括以下步骤：

步骤e1.将晶圆水平放置于绕竖直轴旋转的旋转湿润干燥槽，采用氨水溶液对晶圆进行喷淋；

步骤e2.对采用氨水溶液喷淋后的晶圆采用去离子水进行喷淋；

步骤e3.对采用去离子水喷洗后的晶圆采用N₂进行吹干，得到最终晶圆。

8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述旋转湿润干燥槽中连接有第一机械臂与第二机械臂，所述第一机械臂内设有相互隔离的第一喷淋装置与第二喷淋装置，所述第二机械臂内设有用于吹出N₂的第三喷淋装置，所述第一喷淋装置用于喷淋氨水溶液，所述第二喷淋装置用于喷淋去离子水。

9.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一氨水溶液含有质量浓度为0.8-1.3％的烷基醇聚氧乙烯醚，第一氨水溶液中NH₄OH:H₂O＝1:20。

10.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二氨水溶液含有质量浓度为0.3-0.7％的烷基醇聚氧乙烯醚，第二氨水溶液中NH₄OH:H₂O＝1:20。