[发明专利]一种含有吡啶聚合物的光伏器件

权利要求书

1.一种含有吡啶聚合物的光伏器件，其特征在于，包括电子传输层，所述电子传输层包括电子传输材料，所述电子传输材料含有如式(Ⅰ)所示的化合物：

其中，m为9-1000的自然数，n为0-1000的自然数；

R₁为以下结构中的任意一种：

R₂为以下结构中的任意一种：

其中，虚线表示基团的连接位置。

2.根据权利要求1所述的光伏器件，其特征在于：m的取值为10-1000。

3.根据权利要求2所述的光伏器件，其特征在于：m的取值为250-500。

4.根据权利要求1所述的光伏器件，其特征在于：还包括第一电极、第二电极，所述电子传输层至少部分地布置在所述第一电极、第二电极之间。

5.根据权利要求4所述的光伏器件，其特征在于：还包括活性层、空穴传输层。

6.根据权利要求5所述的光伏器件，其特征在于，所述光伏器件的结构选自如下结构中的任一种：

1)所述第一电极上依次叠加所述电子传输层、活性层、空穴传输层、第二电极；

2)所述第一电极上依次叠加所述空穴传输层、活性层、电子传输层、第二电极。

7.根据权利要求5所述的光伏器件，其特征在于：所述活性层包含有电子供体；

和/或，所述电子供体选自有机半导体材料、钙钛矿材料中的至少一种；

和/或，所述有机半导体材料选自P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、PTB7(CAS登录号：1266549-31-8)、PBDB-T(CAS登录号：1415929-80-4)中的一种；

和/或，所述钙钛矿材料选自MAPbI_3-xCl_x、MAPbBr₃、FA_xCs_1-xPbI_yBr_3-y中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的光伏器件，其特征在于：还包含电子受体，所述电子受体选自PCBM；

和/或，所述电子受体位于所述活性层或所述电子传输层；

和/或，所述空穴传输层选自PEDOT/PSS、MoO₃中的至少一种；

和/或，所述电子传输层的厚度为5-200nm；

和/或，所述活性层的厚度为100-250nm；

和/或，所述空穴传输层的厚度为5-30nm；

和/或，所述第二电极的厚度为80-100nm。

9.根据权利要求4所述的光伏器件，其特征在于：所述第一电极选自透明电极，所述透明电极选自ITO、PEDOT/PSS中的至少一种；

和/或，所述第二电极选自金属电极，所述金属电极选自钙、银、铝中的至少一种；

和/或，所述光伏器件选自太阳能电池、发光二极管、电致变色器组成的光伏器件组中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的光伏器件，其特征在于，制备式(Ⅰ)所示化合物的方法包括：将原料溶于溶剂中，加入引发剂，反应得到所述化合物。

11.根据权利要求10所述的光伏器件，其特征在于，所述原料包括2-乙基吡啶；

和/或，所述溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃中的至少一种；

和/或，所述引发剂选自RAFT试剂、二环己基偶氮、叔丁基锂中的至少一种。