[发明专利]半导体装置的测试方法及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的测试方法，其特征在于，包含：

取得半导体装置，上述半导体装置包含鳍式场效晶体管，上述鳍式场效晶体管包含通道区以及鳍片结构；

取得上述鳍式场效晶体管的上述通道区以及上述鳍片结构的热时间常数(thermaltime constant)；

根据上述热时间常数，对上述鳍式场效晶体管的上述通道区以及上述鳍片结构进行热模拟；

根据上述热模拟，取得上述鳍式场效晶体管之动态温度波形(dynamic thermalprofile)，其中上述动态温度波形包括温度变化与时间的关系；以及

根据上述动态温度波形，计算上述半导体装置之生命期(lifetime)。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，其中，更取得上述鳍式场效晶体管的热电阻值，并且根据上述热时间常数及上述热电阻值，对上述鳍式场效晶体管进行上述热模拟。

3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，其中，在取得上述鳍式场效晶体管的上述热时间常数中，更包括：

提供交流讯号至上述鳍式场效晶体管；以及

根据上述交流讯号，取得上述通道区的上述热时间常数。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

取得鳍式场效晶体管布局，上述鳍式场效晶体管布局包含通道区以及鳍片结构；

取得上述鳍式场效晶体管布局的上述通道区以及上述鳍片结构的热时间常数；

根据上述热时间常数，对上述鳍式场效晶体管布局的上述通道区以及上述鳍片结构进行热模拟；

根据上述热模拟，取得上述鳍式场效晶体管布局之动态温度波形，其中上述动态温度波形包括温度变化与时间的关系；

根据上述动态温度波形，计算上述半导体装置之生命期；以及

根据上述鳍式场效晶体管布局，形成鳍式场效晶体管在半导体衬底。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，更包括：

根据上述生命期，修正上述鳍式场效晶体管布局。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，其中，在根据上述鳍式场效晶体管布局，形成上述鳍式场效晶体管在上述半导体衬底中，更包括：

根据修正后的上述鳍式场效晶体管布局，形成上述鳍式场效晶体管在上述半导体衬底。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，更取得上述鳍式场效晶体管布局的热电阻值，并且根据上述热时间常数及上述热电阻值，对上述鳍式场效晶体管布局进行上述热模拟。

8.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，其中，在取得上述鳍式场效晶体管布局的上述热时间常数中，更包括：

提供交流讯号至上述鳍式场效晶体管布局；以及

根据上述交流讯号，取得上述鳍式场效晶体管布局的上述热时间常数。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

提供半导体衬底；

形成鳍片结构在上述半导体衬底；

形成闸极结构在上述鳍片结构；

分别形成汲极区域及源极区域在上述鳍片结构；

取得上述汲极区域及上述源极区域之间的通道区以及上述鳍片结构的热时间常数；

根据上述热时间常数，对上述通道区以及上述鳍片结构进行热模拟；

根据上述热模拟，取得上述通道区以及上述鳍片结构之动态温度波形，其中上述动态温度波形包括温度变化与时间的关系；以及

根据上述动态温度波形，计算上述半导体装置之生命期。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，更取得上述通道区以及上述鳍片结构的热电阻值，并且根据上述热时间常数及上述热电阻值，对上述通道区以及上述鳍片结构进行上述热模拟。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中，在取得上述汲极区域及上述源极区域之间的上述通道区以及上述鳍片结构的上述热时间常数中，更包括：

提供交流讯号至上述半导体装置；以及

根据上述交流讯号，取得上述通道区以及上述鳍片结构的上述热时间常数。