[发明专利]一种面向等离子体部件及聚变装置有效
| 申请号： | 201910027785.4 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111415761B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 程杨洋;段慧玲;孟垂舟;余龙 | 申请（专利权）人： | 新奥科技发展有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | G21B1/05 | 分类号： | G21B1/05;G21B1/11 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 面向 等离子体 部件 聚变 装置 | ||
1.一种面向等离子体部件，包括面向等离子体单元和冷却单元，所述冷却单元与所述等离子体单元接触连接，用于冷却所述面向等离子体单元，其特征在于，所述面向等离子体单元主要由钨材料构成，且至少包括耐热晶粒层和耐冷晶粒层，所述耐热晶粒层位于所述面向等离子体单元靠近等离子体热冲击的一侧，用于承受等离子体热冲击，所述耐冷晶粒层位于所述面向等离子体单元远离等离子体热冲击的一侧，用于与所述冷却单元接触连接；所述面向等离子体单元沿所述耐热晶粒层到所述耐冷晶粒层的方向，所述钨材料的晶粒尺寸由大到小呈梯度变化；
所述耐热晶粒层的晶粒尺寸大于1微米，所述耐冷晶粒层的晶粒尺寸小于或等于1微米。
2.根据权利要求1所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述耐热晶粒层位于所述面向等离子体单元的外侧，所述耐冷晶粒层位于所述面向等离子体单元的内侧，所述冷却单元贯穿在所述耐冷晶粒层内。
3.根据权利要求1所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述耐热晶粒层位于所述面向等离子体单元的外部靠近等离子体热冲击的一侧，所述耐冷晶粒层位于所述面向等离子体单元的外部远离等离子体热冲击的一侧。
4.根据权利要求3所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述冷却单元贯穿在所述耐冷晶粒层内。
5.根据权利要求3所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述冷却单元连接在所述耐冷晶粒层远离等离子体热冲击的一侧。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述冷却单元包括冷却管，所述耐冷晶粒层与所述冷却管接触连接；或，所述冷却单元包括冷却管与连接过渡层，所述冷却管贯穿于所述连接过渡层内，所述耐冷晶粒层与所述连接过渡层接触连接。
7.根据权利要求1所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述面向等离子体单元沿所述耐热晶粒层到所述耐冷晶粒层的方向，所述耐冷晶粒层包括第一耐冷晶粒层和第二耐冷晶粒层，所述第一耐冷晶粒层的晶粒尺寸小于等于1微米且大于等于0.1微米，所述第二耐冷晶粒层的晶粒尺寸小于0.1微米。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述面向等离子体单元沿所述耐热晶粒层到所述耐冷晶粒层的方向，厚度范围为10～50毫米。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的面向等离子体部件，其特征在于，所述面向等离子体单元沿所述耐热晶粒层到所述耐冷晶粒层的方向，所述耐热晶粒层的厚度范围为1～10毫米。
10.一种聚变装置，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的面向等离子体部件。
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