[发明专利]一种针对智能卡芯片的测试系统在审

专利信息
申请号: 201910028436.4 申请日: 2019-01-11
公开(公告)号: CN111435145A 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 石志刚;来金鑫 申请(专利权)人: 北京确安科技股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹;李相雨
地址: 100094 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 针对 智能卡 芯片 测试 系统
【说明书】:

发明实施例提供一种针对智能卡芯片的测试系统,包括测试机及参与并行测试的多个智能卡芯片;其中:测试机包括一个或多个100MDM板卡,100MDM板卡包括多个100MDM测试资源;并且,每个智能卡芯片的VCC管脚单独连接100MDM板卡进行供电;多个智能卡芯片的同种类的第一管脚采用多位复用的方式连接100MDM测试资源,第一管脚的信号不随周期进行电平翻转;每个智能卡芯片的第二管脚单独连接100MDM测试资源,第二管脚的信号随周期进行电平翻转。本发明实施例提供的针对智能卡芯片的测试系统,通过采用100MDM板卡给VCC管脚供电,并且同种类的第一管脚复用100MDM测试资源,有效地减少了测试机板卡的使用数量,降低了测试成本。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路测试技术领域,具体涉及一种针对智能卡芯片的测试系统。

背景技术

集成电路制造整套工艺流程中,测试加工环节属于半导体产业的关键工艺环节。半导体测试大体包括CP测试加工(晶圆测试加工)和FT测试加工(封装后测试加工)两大类。其中CP测试加工是集成电路后道封装前重要工艺环节,目的是将晶圆中的管芯(集成电路芯片)进行个性化处理并分类标定,以供后续加工环节和应用环节使用。晶圆测试加工大体包含但不限于电性能检测,可靠性检测,个性化修调和个性化数据编码录入等,最后出货的时候还需要对晶圆实物进行分类标定处理才可以包装出货给下游厂商使用或进行下一道半导体工艺的操作。

现阶段智能卡芯片已经进入内嵌flash模块的时代。在目前半导体工艺下,均需要对芯片进行基准电压电流频率的个性化修调。随着半导体工艺不断向深亚微米至纳米级工艺进发,为了弥补工艺带来的管芯性能差异,更需要个性化修调来解决。电性能修调主要是通过特定的电压电流或功能测试项反馈不同管芯的当前特性,然后根据寄存器不同地址预设的一组可修调参数范围,对不同管芯进行个性化的寄存器配置。

为提高测试效率,通常对晶圆进行多site并行测试。现今利用测试机对智能卡芯片进行高并测测试时,存在测试资源需求大、测试资源成本高的问题。

比如,以具备下列管脚的内嵌flash智能卡芯片为例:

在进行256site并行测试时,一颗芯片需要用到1个DPS资源和6个IO资源,若一个测试机包含256个DPS资源和1536个IO资源,则可以进行256DUT(Device under test,被测器件,通常指集成电路芯片)并行测试。其中,利用DPS资源对电源管脚进行测试,利用IO资源(如100MDM)对输入输出等管脚进行测试。

发明内容

为解决现有技术中测试资源利用率不高、测量成本较高的问题,本发明实施例提供一种针对智能卡芯片的测试系统。

本发明实施例提供的针对智能卡芯片的测试系统,包括测试机及参与并行测试的多个智能卡芯片;其中:所述测试机包括一个或多个100MDM板卡,所述100MDM板卡包括多个100MDM测试资源;并且,每个所述智能卡芯片的VCC管脚单独连接所述100MDM板卡进行供电;多个所述智能卡芯片的同种类的第一管脚采用多位复用的方式连接所述100MDM测试资源,所述第一管脚的信号不随周期进行电平翻转;每个所述智能卡芯片的第二管脚单独连接所述100MDM测试资源,所述第二管脚的信号随周期进行电平翻转。

可选地,所述第一管脚包括VPP管脚、VDD18管脚及TST管脚中的一种或多种;所述第二管脚包括CLK管脚、IO管脚及RESET管脚中的一种或多种。

可选地,四个并测位的所述VPP管脚复用一个所述100MDM测试资源,两个并测位的所述VDD18管脚复用一个所述100MDM测试资源,四个并测位的所述TST管脚复用一个所述100MDM测试资源。

可选地,所述第一管脚的信号由探针引出后通过继电器实现所述多位复用。

可选地,所述继电器设置于探针卡上和/或资源转换板上。

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