[发明专利]含有三维纵向存储阵列的处理器

权利要求书

1.一种实现一非算术函数函数的三维处理器(100)，其特征在于含有：

一半导体衬底(0)；

多个计算单元(100aa,…100mn)，每个所述计算单元(100ij)含有至少一三维纵向存储（3D-M_V）阵列(170)和一算术逻辑电路（ALC）(180)，所述3D-M_V阵列(170)存储所述非算术函数的至少部分查找表（LUT），所述ALC (180)对所述LUT的至少部分数据进行算术运算；

所述ALC (180)位于所述半导体衬底(0)中，所述3D-M_V阵列(170)堆叠在所述ALC (180)之上并与所述ALC (180)通过多个芯片内连接(160)电耦合。

2.一种实现一组合函数的三维处理器(100)，其特征在于含有：

一半导体衬底(0)；

第一三维纵向存储（3D-M_V）阵列(170Q或170S)和第二3D-M_V阵列(170R或170T)，所述第一3D-M_V阵列(170Q或170S)存储第一非算术函数的至少部分第一查找表（LUT），所述第二3D-M_V阵列(170R或170T)存储第二非算术函数的至少部分第二LUT；

一算术逻辑电路（ALC）(180)，所述ALC (180)对所述第一LUT或第二LUT的至少部分数据进行算术运算；

所述ALC (180)位于所述半导体衬底(0)中，所述第一和第二3D-M_V阵列(170Q, 170R或170S, 170T) 堆叠在所述ALC (180)之上并与所述ALC (180)通过多个芯片内连接(160)电耦合；

所述组合函数是所述第一和第二非算术函数的一种组合。

3.根据权利要求2所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述第一LUT包括该非算术函数的函数值，所述第二LUT包括该非算术函数的导数值。

4.根据权利要求2所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述组合函数是所述第一和第二非算术函数的复合函数。

5.根据权利要求1-4所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述非算术函数、所述第一非算术函数、所述第二非算术函数包含的运算多于所述ALC (180)支持的算术运算。

6.根据权利要求1-4所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述非算术函数、所述第一非算术函数、所述第二非算术函数不能表达为所述ALC (180)支持的算术运算的一种组合。

7.一种实现一非算术模型三维处理器(100)，其特征在于含有：

一半导体衬底(0)；

多个计算单元(100aa,…100mn)，每个所述计算单元(100ij)含有至少一三维纵向存储（3D-M_V）阵列(170)和一算术逻辑电路（ALC）(180)，所述3D-M_V阵列(170)存储所述非算术模型的至少部分查找表（LUT），所述ALC (180)对所述LUT的至少部分数据进行算术运算；

所述ALC (180)位于所述半导体衬底(0)中，所述3D-M_V阵列(170)堆叠在所述ALC (180)之上并与所述ALC (180)通过多个芯片内连接(160)电耦合。

8.根据权利要求7所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述非算术模型包含的运算多于所述ALC (180)支持的算术运算。

9.根据权利要求7所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述非算术模型不能表达为所述ALC (180)支持的算术运算的一种组合。

10.根据权利要求7所述的三维处理器(100)，其特征还在于：所述非算术模型包括原始测量数据、和/或平滑后的测量数据。