[发明专利]一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法

权利要求书

1.一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将待处理的纳米晶磁芯放置在横磁炉中，并通入保护气体；(2)进行热处理及磁处理，包括：第一阶段：温度从室温升到约560℃，加热及保温约90min；第二阶段：将第一阶段热处理的纳米晶磁芯出炉冷却至室温；第三阶段：将第二阶段冷却的纳米晶磁芯放置在横磁炉中，并通入保护气体，温度从室温升到约420℃，加热及保温约60min，并在退火的同时进行加横磁处理，第四阶段：出炉，将第三阶段工艺结束后的纳米晶磁芯冷却至室温；(3)收取冷却后的纳米晶磁芯成品。

2.根据权利要求1所述的一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：所述保护气体为氮气。

3.根据权利要求1所述的一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：所述第二阶段包括将纳米晶磁芯出炉后用风机冷却至室温，用时约40min。

4.根据权利要求1所述的一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：所述第三阶段的开始至结束60min这一时间段内横磁炉对纳米晶磁芯进行加横磁处理。

5.根据权利要求4所述的一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：所述第三阶段横磁炉施加的磁场强度为800Gs～1000Gs。

6.根据权利要求1所述的一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：所述第四阶段包括将纳米晶磁芯出炉后用风机冷却至室温，用时约30min。

7.根据权利要求1所述的一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法，其特征在于：经该方法热处理后的纳米晶磁芯的矫顽力为0.5A/m。