[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种磁阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包含：

介电层；

接触洞，设置于该介电层中；

接触插塞，填入该接触洞并且凸出于该介电层，其中该接触插塞包含下部元件和上部元件，该下部元件填入该接触洞，该上部元件位于该接触洞之外，该上部元件包含顶边、底边、第一斜边和第二斜边，该顶边和该底边互相平行，该底边较该顶边接近该接触洞，该底边大于该顶边，该第一斜边的两末端分别连接该顶边和该底边，该第二斜边的两末端分别连接该顶边和该底边；以及

磁阻式随机存取存储器，位于该接触插塞上方并且接触该接触插塞。

2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一斜边和该顶边之间具有第一夹角，该第二斜边和该顶边之间具有第二夹角，该第一夹角等于该第二夹角。

3.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一斜边和该顶边之间具有第一夹角，该第二斜边和该顶边之间具有第二夹角，该第一夹角不等于该第二夹角。

4.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，另包含间隙壁材料层，覆盖该磁阻式随机存取存储器和该接触插塞，其中该接触插塞的该第一斜边和该第二斜边完全被该间隙壁材料层覆盖。

5.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，另包含间隙壁，覆盖该磁阻式随机存取存储器，其中部分的该接触插塞未被该间隙壁覆盖。

6.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中该接触插塞为一体成型并且为单一材料。

7.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中该接触插塞的材料为钨。

8.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中该磁阻式随机存取存储器包含磁性隧穿结、上电极和下电极。

9.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中一缓冲层仅接触该接触洞的内侧侧壁。

10.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器结构，其中一缓冲层接触该接触洞的侧壁以及该介电层的上表面。

11.一种磁阻式随机存取存储器结构的制作方法，包含：

提供金属线和介电层覆盖该金属线；

形成接触洞于该介电层中并且由该接触洞曝露出该金属线；

形成第一金属层覆盖并且填入该接触洞；

进行第一平坦化制作工艺，平坦化该第一金属层；

形成下电极、磁性隧穿结材料层和上电极覆盖平坦化后的该第一金属层；以及

进行离子束蚀刻制作工艺，图案化该上电极、该磁性隧穿结材料层、该下电极和该第一金属层以形成磁阻式随机存取存储器和接触插塞。

12.如权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器结构的制作方法，另包含形成间隙壁材料层覆盖该磁阻式随机存取存储器和该接触插塞。

13.如权利要求12所述的磁阻式随机存取存储器结构的制作方法，另包含蚀刻该间隙壁材料层以在该磁阻式随机存取存储器的两侧形成间隙壁，其中部分的该接触插塞未被该间隙壁覆盖。

14.如权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器结构的制作方法，其中该接触插塞填入该接触洞并且凸出于该介电层，其中该接触插塞包含下部元件和上部元件，该下部元件填入该接触洞，该上部元件位于该接触洞之外，该上部元件包含顶边、底边、第一斜边和第二斜边，该顶边和该底边互相平行，该底边较该顶边接近该接触洞，该底边大于该顶边，该第一斜边的两末端分别连接该顶边和该底边，该第二斜边的两末端分别连接该顶边和该底边。