[发明专利]具有光功率读取的发光器件

权利要求书

1.一种具有光功率读取的发光器件，其包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的发光台面，其中，所述发光台面包括第一n-AlGaN结构、第一p-AlGaN结构、和夹设在所述第一n-AlGaN结构和第一p-AlGaN结构之间的第一有源区；以及

形成在所述衬底之上的光检测台面，其中，所述光检测台面包括第二n-AlGaN结构、第二p-AlGaN结构、和夹设在所述第二n-AlGaN结构和第二p-AlGaN结构之间的第二有源区，

其中，所述第一和第二n-AlGaN结构具有相同的外延结构，所述第一和第二p-AlGaN结构具有相同的外延结构，并且所述第一和第二有源区具有相同的外延结构，以及

其中，所述发光台面和光检测台面至少部分地被绝缘区域隔开，从而使所述第一有源区和第一p-AlGaN与所述第二有源区和第二p-AlGaN隔离开；

其中，所述光检测台面的侧壁完全被所述发光台面包围，所述绝缘区域位于所述光检测台面与所述发光台面之间，以及，

所述光检测台面的平面内面积为发光台面的平面内面积的5％-55％。

2.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述绝缘区域的宽度为5-95μm。

3.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述绝缘区域由绝缘层、或者空隙、或者离子注入形成。

4.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述第一和第二n-AlGaN结构共用相同的n-AlGaN结构和公共的n接触金属。

5.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述光检测台面接收发光台面给出的辐射的一部分并且用输出电信号来做出响应。

6.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述发光台面和光检测台面如下形成：

在所述衬底上形成n-AlGaN结构，在所述n-AlGaN结构上形成有源区，并且在所述有源区上形成p-AlGaN结构；以及

将所述n-AlGaN结构分成第一n-AlGaN结构和第二n-AlGaN结构，将p-AlGaN结构分成第一p-AlGaN结构和第二p-AlGaN结构，并且将有源区分成第一有源区和第二有源区，以便形成所述发光台面和光检测台面。

7.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述第一n-AlGaN结构包括：具有2.0-5.0μm的厚度和2.0×10¹⁸–5.0×10¹⁸cm^-3的掺杂浓度以便进行电流扩展的n-AlGaN层、具有0.2-0.5μm的厚度和8×10¹⁸-2×10¹⁹cm^-3的掺杂浓度以便进行有源区极化电场屏蔽的n⁺-AlGaN层、以及具有0.1-0.5μm的厚度和2.5×10¹⁷-2×10¹⁸cm^-3的掺杂浓度以便减少电流阻塞和实现对第一有源区的均匀电流注入的n^--AlGaN层。

8.根据权利要求1所述的具有光功率读取的发光器件，其中，所述第一有源区包括多个交替堆叠的n-Al_bGa_1-bN势垒和Al_wGa_1-wN势阱；各个n-Al_bGa_1-bN势垒的厚度在8-16nm范围内，并且各个Al_wGa_1-wN势阱的厚度为2-5nm；所述n-Al_bGa_1-bN势垒和Al_wGa_1-wN势阱分别具有在0.3-1.0(b＝0.3-1.0)和0.0-0.85(w＝0.0-0.85)范围内的Al组分，并且所述势垒与势阱之间的Al组分差至少为0.15(b-w≧0.15)。