[发明专利]一种钴镍双掺杂的硫化锡纳米片、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910031414.3 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109647536B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 杜旭涛;张安;曾杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B01J31/28 | 分类号： | B01J31/28;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋;赵青朵 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钴镍双 掺杂 硫化 纳米 制备 方法 应用 | ||
1.一种钴镍双掺杂的硫化锡纳米片的制备方法，其特征在于，包括：
A)将锡源、镍源、钴源、硫源和配体混合反应，得到钴、镍双掺杂的锡前驱体；所述配体包括邻二氮菲；
B)将钴、镍双掺杂的锡前驱体、油胺和溶剂混合，加热反应，冷却，得到钴镍双掺杂的硫化锡纳米片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A)所述锡源包括四氯化锡；所述镍源包括二氯化镍；所述钴源包括二氯化钴；所述硫源包括二乙基二硫代氨基甲酸钠。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)具体为将配体、锡源、镍源、钴源混合后，再将硫源逐滴加入，得到钴、镍双掺杂的锡前驱体。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述配体、锡源和硫源的摩尔比为1:1：(3.5～5)；所述锡源、镍源、钴源的摩尔比为100：(0.1～5)：(0.1～5)。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B)所述溶剂包括苯甲醚。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B)所述加热温度为180～220℃；所述加热时间为18～24h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钴镍双掺杂的硫化锡纳米片厚度为2～5nm；大小为80～200nm。
8.一种钴镍双掺杂的硫化锡纳米片，其特征在于，由权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备得到。
9.权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备得到的钴镍双掺杂的硫化锡纳米片在二氧化碳电还原中的应用。
10.一种二氧化碳电还原的方法，其特征在于，采用权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备得到的钴镍双掺杂的硫化锡纳米片在水溶液中将二氧化碳还原为有效一碳产物。
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