[发明专利]一种新型氮化物发光二极管在审
| 申请号： | 201910032651.1 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109755364A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 空穴 空穴注入层 带隙 源层 氮化物发光二极管 氮化铝 扩散层 衬底 非掺杂氮化物层 侧向扩展 缓冲层 中空穴 溢流 迁移 阻碍 | ||
1.一种新型氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层、电子阻挡层和p型氮化物层，其特征在于：所述p型氮化物层包括依次位于电子阻挡层上的空穴注入层、空穴扩散层和p型接触层，所述电子阻挡层为厚度1~10 nm的AlN，所述空穴扩散层为厚度10~50 nm的p型AlxInyGa1-x-yN，其中0.05≤x≤0.5、0≤y≤0.03。
2.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层为厚度10~50 nm的p型GaN，Mg的掺杂浓度为5E19~5E20cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述空穴扩散层中Mg的掺杂浓度为3E18~3E19cm-3。
4.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述p型接触层为厚度6~60 nm的p型GaN，Mg的掺杂浓度为5E19~2E21cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述空穴扩散层的带隙宽度大于空穴注入层和p型接触层的带隙宽度。
6.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述缓冲层为厚度5~100nm 的AlN或GaN。
7.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述非掺杂氮化物层为厚度1~5μm的 GaN。
8.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述n型氮化物层为厚度1~5μm的n型GaN，Si的掺杂浓度为5E18~1E20 cm-3。
9.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述有源层为若干个InaGa1-aN（0.04<a<0.4）势阱层和AlbIncGa1-b-cN（0≤b≤1，0≤c≤0.2，0≤b+c≤1）势垒层交替堆叠形成的多量子阱结构，InaGa1-aN（0.04<a<0.4）势阱层的厚度为1~5nm，AlbIncGa1-b-cN（0≤b≤1，0≤c≤0.2，0≤b+c≤1）势垒层的厚度为5~20nm，有源层的周期数为n，2<n<20。
10.根据权利要求1所述的一种新型氮化物发光二极管，其特征在于：所述衬底为蓝宝石（Al2O3）衬底、硅（Si）衬底、碳化硅（SiC）衬底、氮化铝（AlN）衬底、氮化镓（GaN）衬底、氧化镓（Ga2O3）衬底或氧化锌（ZnO）衬底中的一种。
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