[发明专利]粘晶胶纸随晶粒分离的方法在审
| 申请号： | 201910033363.8 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786310A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 马倩;林建涛;刘怡俊 | 申请（专利权）人： | 东莞记忆存储科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 胶纸 粘晶 晶粒 晶圆 厚度要求 产品良率 方向扫描 镭射激光 镭射切割 研磨处理 隐形切割 切割道 镭射 裂片 翘曲 粘贴 背面 切割 替换 分割 | ||
1.粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，包括：
对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆；
在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸；
利用镭射对粘晶胶纸切割。
2.根据权利要求1所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的切割能量范围为0.5W至1.5W。
3.根据权利要求2所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的频率为50HZ至150HZ。
4.根据权利要求3所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述利用镭射对粘晶胶纸切割中，所述镭射的速度为50mm/s至100mm/s。
5.根据权利要求4所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述利用镭射对粘晶胶纸切割，包括：
利用镭射激光沿切割道的方向扫描粘晶胶纸。
6.根据权利要求5所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述对晶圆进行研磨处理，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：
在晶圆表面贴研磨胶纸；
对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆。
7.根据权利要求6所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：
对晶圆进行背部预研磨；
对晶圆沿其切割道方向进行镭射切割，以得到隐形切割的晶圆；
对隐形切割的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。
8.根据权利要求6所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，，所述对晶圆进行背部研磨和切割，以得到满足厚度要求的晶圆，包括：
对晶圆沿其切割道方向进行刀片切割，以得到切割后的晶圆；
对切割后的晶圆进行背部研磨，以得到满足厚度要求的晶圆。
9.根据权利要求7或8所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述在满足厚度要求的晶圆的背面粘贴粘晶胶纸之后，还包括：
剥离晶圆的正面所粘贴的研磨胶纸。
10.根据权利要求7所述的粘晶胶纸随晶粒分离的方法，其特征在于，所述对晶圆进行背部预研磨，具体是对晶圆进行背部的氧化层研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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