[发明专利]一种发光二极管芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201910033847.2 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109755359A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 隔离层 外延片 芯片 腔体 发光二极管 芯片侧表面 定义芯片 晶格损伤 外延结构 制作 保护层 制程 沉积 载流子 取出 制造 非辐射复合中心 发光效率 刻蚀技术 外延生长 芯片电极 侧表面 发光层 衬底 刻蚀 去除 移入 修复 | ||
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征包括如下步骤：
步骤S1、在衬底上利用MOCVD技术完成发光二极管的外延结构的沉积，所述外延结构从衬底向上依序为第一半导体层、发光层、第二半导体层，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的极性相异；
步骤S2、从MOCVD腔体中取出外延片，使用芯片刻蚀技术，在外延结构上定义芯片图形；
步骤S3、在后续要制作芯片电极的位置上制作隔离层,且所述隔离层不覆盖在芯片靠近所述发光层的侧表面；
步骤S4、将已定义芯片图形和已制作所述隔离层的外延片再次移入MOCVD腔体中，进行二次外延生长，沉积保护层，使所述保护层至少沉积在芯片靠近所述发光层的侧表面；
步骤 S5、从MOCVD腔体中取出外延片，去除所述隔离层，再制作后续芯片制程，完成发光二极管芯片的制造。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤S1中外延衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓和磷化镓中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤S1中第一半导体层为N或P型半导体，所述第二半导体层为与所述第一半导体层极性相异的P或N型半导体。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层和所述第二半导体层的组份为InxAlyGa1-x-yN（1≥x≥0、1≥y≥0、1≥x+y≥0）或InzAlwGa1-z-wAs（1≥z≥0、1≥w≥0、1≥z+w≥0）或InaAlbGa1-a-bP（1≥a≥0、1≥b≥0、1≥a+b≥0）。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤S3中隔离层为氧化硅、氮化硅。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤S4中保护层为氮化硅、氮化镁、氮化铝、氮化硼材料的一种或任意组合。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于： 所述保护层厚度为1nm～1000nm。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于： 所述保护层的生长温度为400度～1100度。
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