[发明专利]一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910034475.5 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN109592987B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 朱苏华 申请(专利权)人: 湖南世鑫新材料有限公司
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83;C04B35/628;C04B35/573;C04B35/524
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 魏娟
地址: 412007 湖南省株洲市天元区仙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 含富碳 氮化 界面 sic 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)在含硼酸、尿素的前驱体溶液A中加入AM和MBAM混合,溶解后加入引发剂APS引发聚合反应,水浴搅拌,形成透明的溶胶溶液B;

所述溶胶溶液B中,按质量比计,MBAM:APS:AM =1:2~9:20~25;所述溶胶溶液B中,按质量比计,AM: 硼酸=1:2~8;

2)将经脱胶处理后的碳纤维预制件浸渍于步骤1所得的溶胶溶液B中,浸渍完成后烘干,重复浸渍、烘干处理2~4次,然后于惰性气氛下热处理,获得含富碳氮化硼界面相的碳纤维预制件;进行树脂浸渍、碳化、渗硅处理获得C/C-SiC复合材料;所述碳纤维预制件选自碳化硅纤维编织件、碳纤维缠绕件、二维碳毡、2.5D针刺整体毡中的至少一种,

所述浸渍的温度为30~40℃,浸渍的时间为15~30min;

所述烘干的温度为80~100℃,烘干的时间为40~60min;

所述热处理的工艺程序为:0.2℃/min~5℃/min升温至150℃~250℃,保温0.5h~1h,0.2℃/min~5℃/min升温至300℃~400℃,保温0.5h~1h;0.2℃/min~5℃/min升温至800℃~900℃,保温1h~1.5h;5℃/min~10℃/min升温至1000℃~1200℃,保温1h~2h,随炉冷却。

2.根据权利要求1所述的一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液A中,硼酸和尿素的质量比为1:2~5;

所述前驱体溶液A中,硼酸的浓度为1.5mol/L~1.7mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法,其特征在于,所述含硼酸、尿素的前驱体溶液A中的溶剂为乙醇与水组成的混合溶剂;

所述混合溶剂中乙醇与水的体积比为1:1~3。

4.根据权利要求1所述的一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液A的配取方式为:将硼酸、尿素加入由乙醇与水组成的混合溶剂中,于50℃~80℃搅拌0.5~1h,即得前驱体溶液A。

5.根据权利要求1所述的一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1中,所述聚合反应的温度为30~40℃,聚合反应的时间10~30min。

6.根据权利要求1所述的一种含富碳氮化硼界面相C/C-SiC复合材料的制备方法,其特征在于,将含富碳氮化硼界面相的碳纤维预制件采用呋喃树脂经3~4次浸渍、碳化处理至获得密度为1.0g/cm3~1.5g/cm3的C/C多孔预制体,将C/C多孔预制体经熔融渗硅处理得到密度为2.0g/cm3~2.3g/cm3的含富碳氮化硼界面相的C/C-SiC复合材料。

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