[发明专利]具有贯穿通孔的薄膜电阻器

权利要求书

1.一种方法，包括：

在衬底上方形成薄膜电阻器层即TFR层；

在所述TFR层上方形成介电层；

蚀刻完全穿过所述介电层和所述TFR层的通孔；并且

用耦合到所述TFR层的侧壁的导体填充所述通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述TFR层之前在所述TFR层下方形成金属层，

其中所述通孔到达所述金属层而不完全穿透所述金属层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述TFR层之前在所述TFR层下方形成蚀刻停止层，

其中所述通孔到达所述蚀刻停止层而不完全穿透所述蚀刻停止层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述TFR层包括：执行包括硅材料、铬材料和碳材料的靶材的物理气相沉积。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述TFR层包括：执行包括镍材料、铬材料、碳材料和氧材料的靶材的物理气相沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述TFR层包括第一终端区域和与所述第一终端区域间隔开的第二终端区域；以及

所述通孔包括完全穿过所述第一终端区域的第一通孔以及完全穿过所述第二终端区域的第二通孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成所述TFR层包括：

在所述衬底上方和所述介电层下方形成第一TFR层；并且

在所述介电层上方形成第二TFR层，所述第二TFR层至少部分与所述第一TFR层重叠并共同延伸；并且

蚀刻所述通孔包括蚀刻完全穿过所述第二TFR层、所述介电层和所述第一TFR层的所述通孔。

8.一种方法，包括：

在衬底上方形成第一薄膜电阻器层即TFR层；

在所述第一TFR层上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成第二TFR层；

在所述第二TFR层上方形成第二介电层；

形成完全穿过所述第一介电层和所述第二介电层并完全穿过所述第一TFR层的第一终端区域的第一导电通孔；以及

形成完全穿过所述第二介电层并完全穿过所述第二TFR层的第二终端区域的第二导电通孔。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一TFR层与所述第二TFR层至少部分地重叠并共同延伸。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

形成完全穿过以下各项的第三导电通孔：

所述第二介电层；

所述第二TFR层的第三终端区域；

所述第一介电层；和

与所述第三终端区域垂直重叠的所述第一TFR层的第四终端区域。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在形成所述第一TFR层之前，在所述第一TFR层的所述第一终端区域下方形成第一金属焊盘；

在形成所述第二TFR层之前，在所述第二TFR层的所述第二终端区域下方形成第二金属焊盘；

其中所述第一导电通孔停止在所述第一金属焊盘处并与所述第一金属焊盘接触，并且所述第二导电通孔停止在所述第二金属焊盘处并与所述第二金属焊盘接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

形成所述第一金属焊盘包括：在形成所述第一TFR层之前形成金属层，并且从所述金属层图案化所述第一金属焊盘；并且

形成所述第二金属焊盘包括从所述金属层图案化所述第二金属焊盘。