[发明专利]全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料有效
| 申请号： | 201910034941.X | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109861004B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张彬;凌芳;钟哲强;张源 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波段 响应 宽频 磁导率 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于孔状结构的全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料，其特征在于：所述负磁导率超材料的结构单元划分为孔状结构基底和附着于基底孔内壁的金属环谐振结构构成金属谐振腔；所述负磁导率超材料通过改变周期、厚度、基底孔状结构和谐振结构的尺寸，可在微波、太赫兹波以及光波段实现强磁响应。
2.根据权利要求1所述的全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料，其特征在于：所述负磁导率超材料的强磁响应由入射电磁波的磁场分量直接激励超材料的磁谐振实现。
3.根据权利要求1所述的全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料，其特征在于：所述负磁导率超材料的强磁响应能够实现宽频带负磁导率。
4.根据权利要求1所述的全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料，其特征在于：所述负磁导率超材料的强磁响应能够实现高负磁导率和正磁导率。
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