[发明专利]被加工物的切削方法有效
申请号: | 201910035174.4 | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN110071065B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 田中诚;安雅也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/66;H01L21/67;G01B11/02;G01B11/24 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 切削 方法 | ||
提供被加工物的切削方法,能够准确地对与激光加工槽重叠而形成的切削槽进行检测。被加工物的切削方法中,在尚未进行切削的分割预定线(204)的外周剩余区域(207)的范围形成半切割槽(450),该半切割槽具有对落射照明(31A)的光(34)进行反射的槽底(451),与对光(34)进行漫反射而显示得较暗的激光加工槽(300)区别开而检测出半切割槽(450)。
技术领域
本发明涉及被加工物的切削方法。
背景技术
存在如下的半导体晶片:为了提高半导体器件的功能,该半导体晶片在硅基板的正面上具有使用Low-k膜作为层间绝缘膜的功能层。特别是,Low-k膜脆且容易从硅基板剥离,因此担心在以往的切削刀具的切割加工中Low-k膜发生剥离而使半导体器件破损。因此,提出了如下的利用激光光线和切削刀具的加工方法:对Low-k膜照射激光光线而形成激光加工槽,预先按照不剥离的方式对Low-k膜进行分离,然后利用切削刀具沿着该激光加工槽进行切削,从而对半导体晶片进行分割(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2009-021476号公报
但是,当不能在与激光加工槽重叠的位置利用切削刀具按照不探出的方式形成切削槽(切断槽)时,会产生Low-k膜的剥离,因此需要准确地控制形成切削槽的位置。因此,需要对激光加工槽和已形成的切削槽的位置进行检测而识别各槽有无位置偏移,但存在如下的问题:对与激光加工槽重叠的切削槽的位置进行检测非常难。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供被加工物的切削方法,能够准确地对与激光加工槽重叠而形成的切削槽进行检测。
根据本发明,提供被加工物的切削方法,使用切削装置对被加工物进行切削,该切削装置具有:卡盘工作台,其利用保持面对被加工物进行保持;切削单元,其利用切削刀具对该卡盘工作台所保持的被加工物进行切削;加工进给单元,其将该卡盘工作台在与该保持面平行的X轴方向上进行加工进给;分度进给单元,其将该切削单元在与该保持面平行且与该X轴方向垂直的Y轴方向上进行分度进给;以及拍摄单元,其具有对该卡盘工作台所保持的被加工物进行拍摄的相机和沿着该相机的光轴照射光的落射照明,所述被加工物在正面上具有在由呈格子状形成的多条分割预定线划分的各区域中形成有器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域,通过激光光线的照射在该分割预定线上形成有激光加工槽,其中,该被加工物的切削方法具有如下的步骤:半切割槽形成步骤,在该分割预定线的该外周剩余区域的范围形成半切割槽,该半切割槽具有对该落射照明的光进行反射的底部;检测步骤,利用该拍摄单元对该半切割槽进行拍摄,与对该落射照明的光进行漫反射而显示得较暗的该激光加工槽区别开而检测出该半切割槽;校正步骤,对该激光加工槽与该半切割槽的偏移进行校正;以及切削步骤,将该切削刀具定位于该激光加工槽的中央而进行切削。
根据该结构,在尚未进行切削的分割预定线的外周剩余区域的范围形成具有对落射照明的光进行反射的底部的半切割槽,与对该光进行漫反射而显示得较暗的激光加工槽区别开而检测出半切割槽,因此根据利用激光加工槽和半切割槽的槽底的形状不同而带来的两槽的反射光的明亮度的不同,能够准确地对与激光加工槽重叠而形成的切削槽的位置进行检测。另外,对激光加工槽和半切割槽的偏移进行校正,将切削刀具定位于激光加工槽的中央而对被加工物进行切削,因此能够准确地对被加工物进行分割。半切割槽形成于未进行切削的分割预定线的外周剩余区域的范围,因此即使半切割槽相对于分割预定线产生位置偏移,也能够防止器件区域的器件的损伤。
优选该检测步骤包含如下的激光加工槽检测子步骤:与对该落射照明的光进行反射而显示得较亮的该激光加工槽的两侧的该被加工物的正面区别开而检测出显示得较暗的该激光加工槽。根据该结构,根据在激光加工槽和被加工物的正面所反射的反射光的明亮度的不同,能够准确地对激光加工槽与该激光加工槽的外侧的被加工物的正面的边界进行检测。因此,能够准确地对激光加工槽的中心与半切割槽的中心的偏移量进行检测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造