[发明专利]一种激光加工晶圆的方法及装置

权利要求书

1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：

将第一激光光束进行整形后在晶圆内部预设区域形成片状爆点；

移动放置晶圆的工作台并将片状爆点均匀覆盖在晶圆预设平面上形成整平面爆点；

在所述预设平面对应高度上，由第二激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域进行切割；具体为：在所述预设平面对应高度上，由第二激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域内进行隐形切割；

沿剥离区域对整个晶圆两端施加切向拉力，用以将晶圆进行分离；

其中，所述由第二激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域内进行隐形切割包括：

将第二激光光束沿加工方向整形为N个子激光光束，且所述N个子激光光束聚焦在距离所述晶圆侧表面不同的深度层位置；

调整各子激光光束的偏振方向并与其切割方向一致；

然后将经调整后的各子激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域内进行隐形切割。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各子激光光束沿晶圆侧表面对剥离区域内进行隐形切割的深度范围为15um-5mm。

3.根据权利要求1-2任一所述的方法，其特征在于，所述将第一激光光束进行整形后在晶圆内部预设区域形成片状爆点包括：

获取半导体材料信息；其中，所述半导体材料信息包括材料类型、材料烧蚀机理、材料晶格、材料晶向中一种或者任意组合；

根据所述半导体材料信息确定预设图案的光斑组合阵列；其中，所述半导体材料信息与预设图案的光斑组合阵列相对应；

将第一激光光束整形为具有预设图案的光斑组合阵列，并由具有预设图案的光斑组合阵列在晶圆内部预设区域形成片状爆点。

4.一种激光加工晶圆的装置，其特征在于，包括：

第一激光加工系统，用于将第一激光光束进行整形后在晶圆内部预设区域形成片状爆点；

工作台，用于移动放置晶圆的工作台并将片状爆点均匀覆盖在晶圆预设平面上形成整平面爆点；

第二激光加工系统，用于在所述预设平面对应高度上，由第二激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域进行切割；

分离系统，用于沿剥离区域对整个晶圆两端施加切向拉力，用以将晶圆进行分离；

所述第二激光加工系统包括：

第一加工模块，用于在所述预设平面对应高度上，由第二激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域内进行隐形切割；其包括：

将第二激光光束沿加工方向整形为N个子激光光束，且所述N个子激光光束聚焦在距离所述晶圆侧表面不同的深度层位置；

调整各子激光光束的偏振方向并与其切割方向一致；

然后将经调整后的各子激光光束沿晶圆侧表面对经整平面爆点后所生成的剥离区域内进行隐形切割。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述各子激光光束沿晶圆侧表面对剥离区域内进行隐形切割的深度范围为15um-5mm。