[发明专利]校准准直器的方法及执行该方法的用于X射线分析的装置有效
申请号: | 201910036174.6 | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN110037717B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | S·维奇奥;P·维格诺里;V·萨洛莫尼 | 申请(专利权)人: | IMS吉奥托股份公司 |
主分类号: | A61B6/00 | 分类号: | A61B6/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈斌;亓云 |
地址: | 意大利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校准 准直器 方法 执行 用于 射线 分析 装置 | ||
1.一种用于X射线分析的装置(1),包括:
-用于生成X射线的场(C)的设备(11),所述设备(11)包括源(111)和准直器(112),并且被配置成使得所述准直器(112)以限定所述场(C)的方式准直所述源(111)的射线;
-检测器(12),所述检测器(12)包括检测表面(121)并且被配置成揭示所述检测表面(121)的至少一个图像,所述至少一个图像代表入射到所述检测表面(121)上的所述X射线;
其中:
-所述装置(1)被配置成使得所述设备(11)能够采用至少第一位置,所述第一位置与所述设备(11)的用于所述准直器(112)的校准的校准位置(P1)相符;
-所述准直器(112)能够采用与由所述源(111)生成的所述X射线的多个相应的准直模式相对应的多个操作配置;
-所述装置(1)被配置成使得当所述准直器(112)采用这些操作配置中的任何一个并且所述设备(11)采用所述校准位置(P1)时,所述场(C)以限定由所述场(C)和所述检测表面(121)之间的交叉造成的交叉部分(S)的方式来撞击所述检测表面(121);
-所述装置被配置成使得当所述设备(11)采用所述校准位置(P1)时,所述准直器(112)的所述操作配置的变化对应于所述交叉部分(S)相对于所述检测表面(121)的几何配置的变化,以此方式使得所述准直器的每个操作配置对应于所述交叉部分的相应几何配置;
-所述装置被配置成采集由所述检测器揭示的所述至少一个图像以及检测所述交叉部分(S)的几何配置;
其特征在于,所述装置(1)被配置成基于所述交叉部分(S)的至少两个检测到的不同几何配置来计算对应于所述校准位置(P1)的局部数学关系、对应于所述校准位置的所述局部数学关系针对所述设备(11)的所述校准位置(P1)使得所述准直器(112)的所述操作配置的变化和所述交叉部分(S)的所述几何配置的变化在数学上彼此相关,
其中所述准直器(112)包括多个薄片(112a-112d),所述准直器(112)被配置成以使得所述准直器(112)的所述操作配置的变化对应于相应薄片(112a-112d)相对于所述源(111)的位置的组合的变化的方式导致每个所述薄片(112a-112d)相对于所述源(111)的位置的变化,以及
所述装置包括接口,所述接口具有至少一个选择功能,用于选择所述交叉部分(S)相对于所述检测表面(121)的期望的几何配置。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
--所述交叉部分(S)具有边缘(B),所述边缘对所述交叉部分定界并且所述边缘包括所述边缘(B)的多个边界(b1-b4);
-所述边界(b1-b4)中的每个边界与所述薄片(112a-112d)的相应薄片相关联,以此方式使得所述薄片(112a-112d)中的任何薄片相对于所述源(111)的位置的变化导致与所述任何薄片相关联的所述边界相对于所述检测表面的位置的变化,所述交叉部分(S)的所述几何配置的变化对应于相应边界(b1-b4)相对于所述检测表面(121)的位置的组合的变化。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,
-为了导致所述薄片(112a-112d)中的每个薄片相对于所述源(111)的位置的变化,所述准直器(112)包括多个电机(112e-112h);
-所述电机(112e-112h)中的每个电机与所述薄片(112a-112d)中的相应薄片相关联,使得所述电机(112e-112h)中的任何电机的操作参数的变化导致所述任何电机所关联的所述薄片相对于所述源的位置的变化,所述准直器(112)以这种方式被配置成使得相应电机(112e-112h)的操作参数的组合的变化导致所述薄片相对于所述源(111)的相应位置的组合的变化;
并且其中:
-对于至少一个所述薄片,所述局部数学关系包括与板相关联的局部数学函数,所述局部数学函数针对所述设备(11)的该校准位置(P1)使得同相同薄片相关联的所述界相对于所述检测表面(121)的位置与同所述相同薄片相关联的所述电机的操作参数在数学上彼此相关。
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