[发明专利]一种化合物及其制备方法、一种非线性光学晶体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体，不具有对称中心，属于单斜晶系，空间群为P2₁(No.4),晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝101.144°，Z＝4,

所述C₂₅H₂₅NO₄S₂化学结构如式Ⅰ所示：

2.权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体的制备方法，包含如下步骤：

(1)将权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂化合物溶于溶剂中，得到化合物溶液；

(2)将所得化合物溶液置于半封闭容器中，待溶剂蒸发完毕之后即得到C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体。

3.权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体的制备方法，包含如下步骤：

在40～60℃下，将权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂化合物配成饱和溶液，保温后降温，得到C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体。

4.权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体的制备方法，包含如下步骤：

(1)在40～60℃下，将权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂化合物配成饱和溶液，保温后加入籽晶，得到含籽晶的饱和溶液；

(2)将所得含籽晶的饱和溶液的温度升高1～10℃后保温，然后再降温1～10℃后保温，最后再降温得到C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体。

5.由权利要求1所述C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体或者权利要求2～4任意一项所述制备方法得到的C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体制备的非线性光学器件，包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块C₂₅H₂₅NO₄S₂非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射频率的输出辐射的装置。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述器件为太赫兹波发生器、二次谐波发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器。