[发明专利]一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻有效

专利信息
申请号: 201910036870.7 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN109859916B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 陈吉堃;张秀兰;姜勇 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01C7/00 分类号: H01C7/00
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 稀土 镍基钙钛矿 化合物 delta 电阻
【权利要求书】:

1.一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻在Delta温区的应用,其特征在于,所述Delta温区电阻材料包含:块体材料、薄膜、晶须材料、纳米线、纳米粉;其晶体结构包含单晶结构、多晶结构;制备该电阻的材料为具有热力学亚稳定状态与扭曲钙钛矿结构的稀土镍基钙钛矿(ABO3)氧化物;其化学组成为ReNiO3Re位(A位)为稀土元素以及具有正三价的类稀土元素的单一元素或多元素组合;镍元素(Ni)占据钙钛矿结构中的B位;

所述材料的电阻率在一段设定的温度区间内明显高于其之外两端范围1-5个数量级,从而呈现电阻率随温度的Delta变化;

所述电阻率率随温度的Delta变化可应用于电路设计,通过该电阻与其它电子器件的并联分流或串联分压效应,实现对特定温度区间范围的器件功能锁定、电路保护、涌浪电流抑制电路智能化控制设计。

2.如权利要求1所述一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻在Delta温区的应用,其特征在于,所述Re位(A位)为钐(Re=Sm)、钇(Re=Y)、铕(Re=Eu)、镝(Re=Dy)、铥(Tm)、钆(Gd)、钬(Ho)、镱(Yb)、铽(Tb)、钐钕(Re=SmxNd1-x,0x1)、铕钕(Re=EuxNd1-x,0x1);铕铺(Re=EuxPr1-x,0x1)。

3.如权利要求1所述一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻在Delta温区的应用,其特征在于,通过改变稀土镍基钙钛矿化合物钙钛矿结构中A原子位的稀土元素比例,实现对Delta电阻温度范围、区间宽度、以及电阻值变化参数的精准调节。

4.如权利要求1所述一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻在Delta温区的应用,其特征在于,通过对所述材料施加应力,并控制加载取向,能实现对Delta电阻温度范围、区间宽度、以及电阻值变化参数的精准调节。

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