[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层中的通路塞，所述通路塞具有相对的第一通路侧壁和第二通路侧壁；

在所述层间绝缘层中的第一布线线路，所述第一布线线路与所述通路塞耦接，并且具有与所述第一通路侧壁相邻的第一布线侧壁、以及与所述第一布线侧壁相对且与所述第二通路侧壁相邻的第二布线侧壁；

第一通路绝缘衬层，覆盖所述第一通路侧壁；

第一布线绝缘衬层，覆盖所述第一布线侧壁；

在所述第一通路绝缘衬层与所述层间绝缘层之间的第一通路气隙区，所述第一通路气隙区将所述第一通路绝缘衬层暴露于所述层间绝缘层；以及

在所述第一布线绝缘衬层与所述层间绝缘层之间的第一布线气隙区，所述第一布线气隙区将所述第一布线绝缘衬层暴露于所述层间绝缘层；

其中，所述第一通路侧壁和所述第二布线侧壁彼此未对准。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一布线气隙区不与所述第一通路气隙区竖直重叠，以及

其中，所述第一布线绝缘衬层通过所述第一布线气隙区与所述层间绝缘层分离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

连接气隙区，其连接所述第一布线气隙区和所述第一通路气隙区，并且将所述第一布线线路的下表面的一部分暴露于所述层间绝缘层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述连接气隙区的竖直宽度小于所述第一布线气隙区的水平宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述层间绝缘层与所述衬底之间的蚀刻停止层，

其中，所述第一通路气隙区在所述蚀刻停止层与所述通路塞之间延伸，以及

其中，所述蚀刻停止层的上表面的一部分和侧壁暴露于所述第一通路气隙区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二通路侧壁和所述第二布线侧壁彼此直接连接并且沿一条线延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

在所述第二通路侧壁与所述层间绝缘层之间的第二通路气隙区；以及

在所述第二布线侧壁与所述层间绝缘层之间的第二布线气隙区，

其中，所述第二通路气隙区和所述第二布线气隙区彼此直接连接。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一布线线路的下表面的一部分与在所述第一通路气隙区与所述第一布线气隙区之间的所述层间绝缘层接触。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述层间绝缘层通过所述第一通路气隙区暴露于所述第一通路绝缘衬层，以及

其中，所述层间绝缘层通过所述第一布线气隙区暴露于所述第一布线线路。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

与所述第一通路绝缘衬层相对的第二通路绝缘衬层，其中所述第一通路气隙区位于所述第一通路绝缘衬层与所述第二通路绝缘衬层之间；以及

与所述第一布线绝缘衬层相对的第二布线绝缘衬层，其中所述第一布线气隙区位于所述第一布线绝缘衬层与所述第二布线绝缘衬层之间。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述层间绝缘层中与所述通路塞和所述第一布线线路相邻的部分中的受损区，

其中，所述受损区中的碳浓度低于所述层间绝缘层中的碳浓度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一通路绝缘衬层的上部的宽度小于所述第一通路绝缘衬层的下部的宽度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述第一布线线路的上表面的保护层。