[发明专利]一种利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201910038038.0 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109735825A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 韩合坤;李涛 | 申请（专利权）人： | 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司;无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23F1/18 |
| 代理公司： | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人： | 肖淑芳;勾昌羽 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属衬 石墨烯 去除 无表面活性剂 表面杂质 溶液去除 喷淋液 减薄 表面活性剂 双氧水溶液 厚度均一 喷淋 盐酸 | ||
1.一种用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸-双氧水溶液体系，其特征在于：所述溶液体系由盐酸和双氧水组成，其中，HCL含量为15～40g/L，H2O2含量为0.05～0.2mol/L。
2.根据权利要求1所述的用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸-双氧水溶液体系，其特征在于，HCL含量为20g/L，H2O2含量为0.1mol/L。
3.根据权利要求1或2所述的用于去除CVD石墨烯金属衬底表面杂质石墨烯的盐酸-双氧水溶液体系，其特征在于，所述溶液体系的温度为29-31℃。
4.一种利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，利用权利要求1-3任一项所述的盐酸-双氧水溶液体系作为喷淋液，向金属衬底需要去除杂质石墨烯的一面喷淋喷淋液；优选地，喷淋压力为1.1-1.2kg/cm2。
5.根据权利要求4所述的利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，在喷淋前将生长有石墨烯的金属衬底需要保留的石墨烯的表面上贴合保护膜。
6.根据权利要求4所述的利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，所述喷淋将金属衬底进行减薄刻蚀，刻蚀的速度为每分钟刻蚀掉1.2-2μm厚度，优选1.5μm；优选地，每片生长有石墨烯的金属衬底的刻蚀时间为3.5-4min。
7.根据权利要求5所述的利用无表面活性剂溶液去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，采用上下喷淋的方式进行喷淋，具体为：
将贴有保护膜的生长有石墨烯的金属衬底置于具有空隙的滚轮组件上，石墨烯面朝上，保护膜面朝下，喷淋液从上向下喷淋石墨烯面，同时，用权利要求1-3任一项所述的盐酸-双氧水溶液体系作为喷淋液对保护膜面从下向上进行喷淋；优选地，对石墨烯面喷淋压力为1.1-1.2kg/cm2，对保护膜面喷淋的压力为0.8-0.9kg/cm2；优选地，所述金属衬底在滚轮组件上运动的速度为1-2m/min，优选1.2m/min。
8.根据权利要求4-7所述的利用无表面活性剂去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，所述金属衬底采用铜箔、镍箔或铜镍合金箔，优选铜箔。
9.根据权利要求5或7所述的利用无表面活性剂去除金属衬底表面杂质石墨烯的方法，其特征在于，所述保护膜采用PI膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡第六元素电子薄膜科技有限公司;无锡格菲电子薄膜科技有限公司，未经无锡第六元素电子薄膜科技有限公司;无锡格菲电子薄膜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910038038.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种PVD涂层用夹具
- 下一篇：一种石墨烯/铜复合材料及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
