[发明专利]抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法

权利要求书

1.一种抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法，其特征在于，所述方法包括：

氧化具有硅基外延材料的圆晶片的有源区的第一区域形成二氧化硅掩蔽层，对所述二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过硼离子注入形成P+型P阱；

氧化所述圆晶片的有源区的第二区域的表面形成二氧化硅掩蔽层，对所述二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过磷离子注入形成N型JFET区；

在所述圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过硼离子注入形成P型P阱；

在所述圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过砷和磷离子注入形成N型Source；

清洗所述圆晶片表面，并对清洗后的所述圆晶片表面进行热氧化生成二氧化硅作为栅介质层；

对所述圆晶片进行多晶硅淀积，对所述多晶硅进行磷离子注入，经过对所述多晶硅的光刻和蚀刻后形成多晶硅栅；

介质淀积和电极层制备，生成层间介质层和电极引出层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过硼离子注入形成P+型P阱，包括：

注入元素为硼B离子，注入B离子的离子束能量范围为40KeV至100KeV，注入的B离子的剂量范围为1.2*10¹⁴cm^-3至1.2*10¹⁶cm^-3，得到所述P+型P阱。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过磷离子注入形成N型JFET区，包括;

注入元素为磷P离子，注入P离子的离子束能量范围为60KeV至120KeV，注入的P离子的剂量范围为0.8*10¹¹cm^-3至1*10¹³cm^-3，得到所述N型JFET区。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过硼离子注入形成P型P阱，包括：

注入元素为硼B离子，注入B离子的离子束能量范围为40KeV至110KeV，注入的B离子的剂量范围为2*10¹³cm^-3至2*10¹⁵cm^-3，随后进行P阱退火推结，退火时间范围为50min至200min之间，得到所述P型P阱。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过砷和磷离子注入形成N型Source，包括：

注入元素一为砷As离子、注入元素二为磷P离子，形成所述N型Source。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

注入As离子的离子束能量范围为70KeV至160KeV，注入的As离子的剂量范围为1*10¹⁵cm^-3至1*10¹⁷cm^-3；和/或，

注入P离子的离子束能量范围为50KeV至120KeV，注入的P离子的剂量范围为7*10¹⁴cm^-3至7*10¹⁶cm^-3。

7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述并对清洗后的所述圆晶片表面进行热氧化生成二氧化硅作为栅介质层，包括：

在高温扩散炉管中氧化气氛下实现，氧化过程使用的温度范围为750℃至1050℃，形成的二氧化硅栅介质层厚度为500埃至1500埃。

8.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆片表面进行多晶硅（Poly-Si）淀积，并对多晶硅进行磷离子注入，包括：

注入元素为磷P离子，注入P离子的离子束能量范围为30KeV至80KeV，注入的P离子的剂量范围为1*10¹⁵cm^-3至1*10¹⁷cm^-3。