[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区，其特征在于：包括如下步骤：

S1：采用第一金属分别在玻璃基板的像素区和端子区上形成栅极；

S2：形成覆盖栅极的栅极保护层；同时在像素区栅极外侧形成像素电极；栅极保护层与像素电极材料相同，均为透明导电材料；

S3：形成覆盖栅极保护层和像素电极的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上方形成半导体层；还包括如下步骤：

S4：形成覆盖半导体层的光刻胶，并对光刻胶、半导体层、栅极绝缘层进行曝光，像素区像素电极上方光刻胶部分被曝光除去，端子区栅极上方光刻胶部分被曝光除去；

S5：在步骤S4基础上对半导体层进行刻蚀，像素区像素电极上方半导体层部分被刻蚀掉形成第一半导体孔，端子区栅极上方半导体层部分被刻蚀掉形成第二半导体孔；

S6：在步骤S5基础上对栅极绝缘层进行刻蚀，像素区像素电极上方栅极绝缘层部分被刻蚀掉形成第一栅极绝缘层孔，端子区栅极上方栅极绝缘层部分被刻蚀掉形成第二栅极绝缘层孔；

S7：在步骤S6基础上对光刻胶进行氧气灰化处理，使像素区栅极上方保留部分光刻胶，像素区及端子区其他部分区域光刻胶全部除掉；

S8：在步骤S7基础上，对半导体层进行刻蚀，使像素区栅极上方保留部分半导体层，像素区及端子区其他部分区域半导体层全部除掉；

S9：采用第二金属形成位于像素区的半导体层两侧的源极和漏极以及形成位于端子区第二栅极绝缘层孔内和部分栅极绝缘层上方的金属接触层，其中像素区的源极和漏极分别与半导体层的两侧接触，部分漏极填充于第一栅极绝缘层孔内，使漏极通过第一栅极绝缘层孔与像素电极导通；

S10：形成覆盖源极、漏极和金属接触层的第一绝缘层，形成覆盖第一绝缘层的第二绝缘层；曝光掉像素区像素电极上方的部分第二绝缘层；曝光掉端子区金属接触层上方的部分第二绝缘层；

S11：在步骤S10基础上，刻蚀掉像素区像素电极上方的第二绝缘层和部分第一绝缘层；刻蚀掉端子区金属接触层上方的部分第一绝缘层；

S12：在步骤S10基础上，刻蚀掉像素电极上方的第二绝缘层、第一绝缘层和部分栅极绝缘层；刻蚀掉端子区金属接触层上方的部分第一绝缘层；

S13：在步骤S11基础上，形成覆盖第二绝缘层、第一绝缘层和金属接触层的公共电极；其中位于像素区像素电极上方的公共电极上具有开孔；

S14：在步骤S12基础上，形成覆盖第二绝缘层、第一绝缘层、栅极绝缘层以及金属接触层的公共电极；其中位于像素区像素电极上方的公共电极上具有开孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述半导体层为IGZO半导体。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤S5中对半导体层进行刻蚀工艺为湿刻。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述步骤S6对栅极绝缘层进行刻蚀工艺为干刻。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层为无机绝缘层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层为有机绝缘层。

7.一种阵列基板，由权利要求1-6任一所述的阵列基板的制造方法制造的，其特征在于：其包括纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的像素区、位于像素区的TFT开关以及位于像素区内的像素电极；还包括与像素电极同层的栅极保护层和栅极绝缘层；所述TFT开关包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极以及与像素电极连接的漏极；所述栅极保护层覆盖所述栅极，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极保护层和像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：还包括公共电极、第一绝缘层和第二绝缘层，所述栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层位于所述公共电极和像素电极之间。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：还包括位于所述栅极绝缘层上方的半导体层，所述源极和漏极分别位于所述半导体层的两侧分别位于半导体层两侧的源极和漏极。