[发明专利]X射线探测器及显像设备

说明书

本发明提供了一种X射线探测器，包括：闪烁体，所述闪烁体为纯碘化铯层或掺杂钠的碘化铯层，所述闪烁体位于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光；感光层，位于所述闪烁体的出光侧，所述感光层具有含锗的半导体形成的光电转换层，所述光电转换层对所述可见光进行光电转换；信号读取层，所述信号读取层与所述感光层电连接；遮光件，位于所述闪烁体与信号读取层之间且与所述信号读取层中有源层的位置对应，以遮挡所述有源层的入射光。本发明不含剧毒物质，对使用者的健康不会有任何损害，且无需投入用于处理铊的安全费用，大大降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及探测器领域，特别涉及一种X射线探测器及具有该X射线探测器的显像设备。

背景技术

X射线探测器广泛应用于医疗仪器上，如，利用X射线进行胸透成像；在现有技术中，X射线探测器主要利用掺杂铊的碘化铯作为闪烁体层，将X射线转化成可见光，再利用非晶硅感光层对可见光进行光电转换，最后由信号读取层读取电信号并输出至成像设备形成影像。

但是铊有剧毒，以掺杂铊的碘化铯作为X射线探测器的闪烁体会对人体产生很大的危害，所以制备此种X射线探测器在安全方面的费用投入极大，不利于成本的降低。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种X射线探测器，旨在解决X射线探测器的安全成本投入高的问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种X射线探测器，一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测器包括：闪烁体，所述闪烁体为纯碘化铯层或掺杂钠的碘化铯层，所述闪烁体位于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光；感光层，位于所述闪烁体的出光侧，所述感光层具有含锗的半导体形成的光电转换层，所述光电转换层对所述可见光进行光电转换；信号读取层，所述信号读取层与所述感光层电连接；遮光件，位于所述闪烁体与信号读取层之间且与所述信号读取层中有源层的位置对应，以遮挡所述有源层的入射光。

可选地，所述含锗的半导体由氧化锗、氮化锗、包含锗和硅的氧化物以及包含锗和硅的氮化物中的一种或多种形成。

可选地，所述感光层还包括P掺杂层与N掺杂层；所述P掺杂层位于所述光电转换层的入光侧且处于所述透明导电薄膜与所述光电转换层之间，所述N掺杂层位于所述光电转换层的出光侧。

可选地，所述感光层还包括绝缘介质，所述P掺杂层与N掺杂层包裹于所述绝缘介质内，使得P掺杂层与N掺杂层绝缘。

可选地，所述信号读取层为薄膜晶体管，所述光电转换层穿透所述薄膜晶体管的绝缘保护层与所述薄膜晶体管的漏极电连接；或，所述光电转换层不穿透所述薄膜晶体管的绝缘保护层，通过导线与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

可选地，所述感光层及遮光件并排设置于闪烁体与所述薄膜晶体管之间。

可选地，所述感光层与所述遮光件垂直堆叠于所述闪烁体与薄膜晶体管之间，且所述感光层位于所述遮光件的入光侧。

本发明还提出一种X射线探测器，所述X射线探测器包括：闪烁体，所述闪烁体为纯碘化铯层或掺杂钠的碘化铯层，所述闪烁体位于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光；感光层，位于所述闪烁体的出光侧，所述感光层具有含锗的半导体形成的光电转换层，所述光电转换层对所述可见光进行光电转换，其中，所述含锗的半导体由氧化锗、氮化锗、包含锗和硅的氧化物以及包含锗和硅的氮化物中的一种或多种形成；信号读取层，所述信号读取层与所述感光层电连接；遮光件，位于所述闪烁体与信号读取层之间且与所述信号读取层中有源层的位置对应，以遮挡所述有源层的入射光。

可选地，所述X射线探测器还包括：保护层，所述保护层填充于所述信号读取层与所述闪烁体之间的空隙，将所述遮光件、感光层及信号读取层与外界环境隔离。

本发明还提出一种显像设备，包括如上任一项所述的X射线探测器，所述显像设备还包括成像装置，所述成像装置与所述薄膜晶体管电连接。