[发明专利]一种匹配HF/HNO3有效

申请号：	201910038378.3	申请日：	2019-01-16
公开（公告）号：	CN109860334B	公开（公告）日：	2021-03-12
发明（设计）人：	王钊;杨洁;郑霈霆;孙海杰;朱佳佳;陈石;冯修;郭瑶;於琳玲;朱思敏	申请（专利权）人：	晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;H01L21/223
代理公司：	嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265	代理人：	蔡鼎
地址：	314416 浙江***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种匹配 hf hno base sub
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【权利要求书】：

1.一种匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

（1）进管：将待扩散硅片放入扩散炉管内，

（2）升温至第一温度：在氮气气氛条件下，使扩散炉管温度达到设定温度750-850℃；

（3）氧化：往所述扩散炉管内通入氧气，进行氧化，氧化时间为2min-10min；

（4）沉积磷源：氧化后进行第一次沉积磷源，通过控制工艺时间、N-POCl₃流量和O₂流量来控制沉积磷源的总量，在所述硅片表面形成第一磷扩散；

（5）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度：在氮气气氛条件下，使扩散炉管温度达到设定温度870-930℃；

（6）推结：维持步骤（5）的温度，推结30-60min，

（7）第二次沉积磷源：推结后进行第二次磷源沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；

（8）降温出管：退火降温，待扩散炉管温度降温至800±50℃时，将所述硅片从所述扩散炉管内取出，得到磷扩散硅片。

2.根据权利要求1所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（2）和步骤（5）中，按照10-12℃/min的升温速率进行升温。

3.根据权利要求1所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（3）中，所述氧气的气体流量为300-600sccm。

4.根据权利要求1所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（4）中，待到扩散炉管内的温度升至预定温度，即所述第一温度后，往所述扩散炉管内通入氧气和携磷源氮气，进行第一次沉积，所述第一次沉积时间为10min-40min。

5.根据权利要求4所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（4）中，所述氧气的气体流量为300-600sccm；所述携磷源氮气N-POCl₃气体流量为200sccm-800sccm。

6.根据权利要求1所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（2）中，氮气气体流量为9000sccm。

7.根据权利要求1所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（7）中，往所述扩散炉管内通入氧气和携磷源氮气，进行第二次沉积，所述第二次沉积时间为5min-15min。

8.根据权利要求7所述的匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于：步骤（7）中，所述氧气的气体流量为300-600sccm；所述携磷源氮气N-POCl₃气体流量为200sccm-800sccm。

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