[发明专利]感光元件、X射线探测器及显示装置

说明书

本申请提供了一种感光元件，所述感光元件包括：本征层；第一掺杂层，所述第一掺杂层设于所述本征层的入光侧；第二掺杂层，所述第二掺杂层设于所述本征层的出光侧；所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均掺杂有掺杂物，且在所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均注入硅离子；本申请还提出一种X射线探测器及显示装置。本申请的技术方案中感光元件通过注入硅离子，可以提高光线的接触面积，从而提高感光元件对光线的灵敏度，使得感光元件的光电转换性能更好，且感光元件的光电转换效率更高。

技术领域

本申请涉及探测器领域，特别涉及一种感光元件、X射线探测器及显示装置。

背景技术

X射线探测器广泛应用于医疗仪器上，如，利用X射线进行胸透成像；在示例性中，X射线探测器的光电转换功能主要由非晶硅感光元件完成，X射线经闪烁体(目前主要为CsI)转换成可见光，再经非晶硅感光元件将可见光转换成电信号由薄膜晶体管(Thin filmtransistor,简称TFT)。由于非晶硅的结构不够稳定、光转换效率低，导致非晶硅感光元件吸收的光波范围较宽，对光的转换不够灵敏，直接影响了X射线探测器的光电转换效率。

发明内容

本申请的主要目的是提供一种感光元件、X射线探测器及显示装置，旨在解决非晶硅光电二极管吸收的光波范围较宽，对光的转换不够灵敏的问题。

为实现上述目的，本申请提出的感光元件，所述感光元件包括：

本征层；

第一掺杂层，所述第一掺杂层设于所述本征层的入光侧；

第二掺杂层，所述第二掺杂层设于所述本征层的出光侧；

所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均掺杂有掺杂物，且在所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均注入硅离子。

可选的，所述掺杂物至少包括SiN_x、SiO_xC_y、SiC_x、SiO_xN_y中的一种。

可选的，所述第一掺杂层中还掺杂有P型掺杂物。

可选的，所述第二掺杂层中还掺杂有N型掺杂物。

可选的，所述感光元件的吸收波长为400nm～670nm。

在本申请的实施例中，采用在本征层、第一掺杂层以及第二掺杂层中均掺杂有掺杂物，且在本征层、第一掺杂层以及第二掺杂层中均注入硅离子，使本征层、第一掺杂层以及第二掺杂层变成半导体结构，以传导光电信号。本申请的技术方案中感光元件通过注入硅离子，可以提高光线的接触面积，从而提高感光元件对光线的灵敏度，使得感光元件的光电转换性能更好，且感光元件的光电转换效率更高。

本申请还提出一种X射线探测器，所述X射线探测器包括基板以及上述的感光元件，所述感光元件设于所述基板上；

所述X射线探测器还包括：

光转换层，所述光转换层设于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光，所述感光元件接收所述可见光的光信号，并将所述光信号转换成电信号；

信号读取元件，所述信号读取元件设于所述基板上且与所述感光元件电连接，以接收并读取所述感光元件转换后的电信号；

遮光层，所述遮光层位于所述光转换层与所述信号读取元件之间，以遮挡所述光转换层转换后的可见光入射到所述信号读取元件上

可选的，所述X射线探测器还包括保护层，所述保护层填充于所述信号读取元件与所述光转换层之间的空隙，将所述遮光层、所述信号读取元件及所述感光元件与外界环境隔离。

可选的，所述光转换层为采用柱状排列的碘化铯闪烁体。