[发明专利]透明导电膜的制造方法

说明书

本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。

本申请是申请日为2012年11月28日、申请号为201280068061.0、发明名称为“透明导电膜的制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及透明导电膜的制造方法。特别是，本发明涉及光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。

背景技术

作为透明导电膜的制造方法，已知有磁控溅射法。该方法是通过使等离子体与靶材碰撞，使靶粒子向基板飞散，并在基板上堆积靶粒子进行成膜的方法，特别是在如下方面具有特征，即，在靶材附近产生磁场，增加靶材附近的等离子体的密度，由此，使成膜速度提高。

专利文献1公开了一种方法，作为实施例，通过将靶材上的水平方向磁场设为40mT的磁控溅射法，在基材上形成结晶性薄膜。该方法是以一个工序进行成膜的方法，该工序如下：在低压环境下，使作为靶材的二氧化钛堆积在基材上，同时使其结晶化。但是，该方法存在如下问题：无法使用氧化铟锡的靶材得到光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-308728

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。

解决问题的方法

发现在使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序中增大水平方向磁场时，在使该包含非晶质部分的氧化铟锡结晶化的工序后，结晶物质的结晶粒径变大。因此，完成可以得到光透射性优异且电阻率较小(导电率优异)的透明导电膜，以至完成了本发明。

本发明提供一种透明导电膜的制造方法，其是具备膜基材、和形成于所述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法，该方法包括：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；在所述将包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。优选的是，所述使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序在比大气压低的气压下实施，所述形成结晶化的氧化铟锡层的工序在大气压下实施。例如，优选所述使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序在0.1Pa～1Pa的气压下进行。

所述水平方向磁场优选为80mT～200mT，进一步优选为100mT～200mT。所述使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序优选在40℃～200℃的温度下实施，进一步优选在40℃～150℃的温度下实施。另外，所述形成结晶化的氧化铟锡层的工序优选在120℃～200℃的温度下实施。所述使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序的实施时间典型性地为1分钟以下。另外，所述形成结晶化的氧化铟锡层的工序的实施时间典型性地为10分钟～90分钟。

所述膜基材优选由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃或聚碳酸酯中的任一种制成。优选所述膜基材在所述氧化铟锡的堆积侧表面具备易粘接层。另外，优选所述膜基材在所述氧化铟锡的堆积侧表面具备折射率调整层。另外，还优选所述膜基材在所述氧化铟锡的堆积侧表面具备硬涂层。另外，优选所述结晶化的氧化铟锡层的厚度为20nm～50nm。还优选所述膜基材的厚度为15μm～50μm。