[发明专利]摄像装置在审

专利信息
申请号: 201910038971.8 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN110278396A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 留河优子;小柳贵裕;网川裕之;远藤康行 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/357;H01L27/146
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电变换部 半导体基板 电极 配置 电容元件 摄像装置 布线层 电极连接 电介体层 俯视 包围
【权利要求书】:

1.一种摄像装置,其特征在于,

具备:

半导体基板,具有第1主面及与上述第1主面相反侧的第2主面;

第1光电变换部,配置在上述半导体基板内,通过对入射的第1光进行变换而生成第1信号电荷;

与上述第1光电变换部不同的第2光电变换部,配置在上述半导体基板内,通过对入射的第2光进行变换而生成第2信号电荷;

布线层,配置在上述第1主面的上方;以及

电容元件,配置在上述布线层内,在俯视时将上述第1光电变换部包围;

上述电容元件包括第1电极、第2电极、以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的电介体层;

上述第1电极连接至上述第1光电变换部或上述第2光电变换部。

2.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

还具备对由上述第1光电变换部及上述第2光电变换部之中的与上述第1电极连接的一方所生成的信号电荷进行蓄积的电荷蓄积区域;

上述第1电极配置在上述半导体基板与上述第2电极之间;

上述第2电极将上述电荷蓄积区域覆盖。

3.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

在俯视时,上述第1光电变换部的面积与上述第2光电变换部的面积不同,

上述第1电极连接至上述第1光电变换部及上述第2光电变换部之中的上述面积较小一方。

4.如权利要求3所述的摄像装置,其特征在于,

上述第1光电变换部的上述面积比上述第2光电变换部的上述面积大。

5.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

上述半导体基板构成为,上述第1光及上述第2光从上述第2主面向上述半导体基板入射。

6.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

还具备用来向上述第2电极施加一定的电位的布线。

7.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

还具备晶体管;

上述第1电极经由上述晶体管连接至上述第1光电变换部或上述第2光电变换部。

8.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

上述第2电极将上述第1光电变换部连续地包围。

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