[发明专利]一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器

说明书

本发明公开了一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15％。吸收区的结构为：7ML InAs_0.95Bi_0.05/10ML GaSb_0.95Bi_0.05。本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器的InAs层和GaSb层中凝入Bi元素，形成InAsBi层和GaSbBi层，从而在不改变探测器截止波长及探测器性能的前提下，能够有效降低二类超晶格光探测器材料的周期厚度以及材料总厚度，减少材料使用成本及分子束外延生长成本。同时还能提高材料的整体吸收系数，减少整个器件体积。

技术领域

本发明属于二类超晶格光探测器技术领域，具体涉及一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器。

背景技术

InAs/GaSb二类超晶格光探测器通过调整周期结构，改变一个周期中InAs层和GaSb层的厚度，可以使截止波长覆盖2.7～30μm红外波段。InAs/GaSb二类超晶格光探测器材料通过分子束外延方式进行生长，保证一定的周期厚度和总厚度，才能够对确定截止波长内的红外波段实现高效探测。如果能够在不改变探测截止波长及探测精度的前提下，使得InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区厚度降低，将能够有效降低InAs/GaSb二类超晶格光探测器的生产成本。

发明内容

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。

所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15％。

吸收区的结构为：

7ML InAs_0.95Bi_0.05/10ML GaSb_0.95Bi_0.05。

本发明的有益效果是：本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器的InAs层和GaSb层中凝入Bi元素，形成InAsBi层和GaSbBi层，从而在不改变探测器截止波长及探测器性能的前提下，能够有效降低二类超晶格光探测器材料的周期厚度以及材料总厚度，减少材料使用成本及分子束外延生长成本。同时还能提高材料的整体吸收系数，减少整个器件体积。

具体实施方式

一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。

所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15％。

吸收区的结构为：

7ML InAs_0.95Bi_0.05/10ML GaSb_0.95Bi_0.05。

以上详细描述了本发明的较佳具体实施例，应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思做出诸多修改和变化，因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。