[发明专利]一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器在审
| 申请号： | 201910039014.7 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109768099A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 詹健龙;宋禹析 | 申请（专利权）人： | 浙江焜腾红外科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 丁鹏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光探测器 超晶格 吸收区 低点 载流子 分子束外延 量子效率 速度增加 有效减少 空位 暗电流 探测器 复合 扩散 生长 | ||
本发明公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。本发明通过在分子束外延生长GaSb层时凝入一定量的Bi元素，能够有效减少吸收区中的空位或者反位存在，降低探测器的缺陷密度，使得SRH复合减少，器件暗电流下降，载流子的扩散速度增加，器件的量子效率增加，提高InAs/GaSb T2SL光探测器的性能。
技术领域
本发明属于二类超晶格光探测器技术领域，具体涉及一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器。
背景技术
分子束外延(MBE)生长的GaSb中主要缺陷为Ga空位(bulk growth方法中主要是Ga反位)，研究表明这些Ga空位是现有二类超晶格材料中SRH电流的主要来源和少数载流子寿命的主要限制因素。因此，如果能够减少Ga空位的产生，能够进一步提高二类超晶格光探测器的性能。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。
吸收区的具体结构为7ML InAs/10ML GaSb0.94Bi0.06。
本发明的有益效果是：本发明通过在分子束外延生长GaSb层时通过凝入一定量的Bi元素，能够有效减少吸收区中的空位或者反位存在，降低探测器的缺陷密度，使得SRH复合减少，器件暗电流下降，载流子的扩散长度增加，器件的量子效率增加，提高InAs/GaSb二类超晶格光探测器的性能。
具体实施方式
一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。
吸收区的具体结构为7ML InAs/10ML GaSb0.94Bi0.06。其中ML为原子层。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例，应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思做出诸多修改和变化，因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
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