[发明专利]一种超高温SiC-HfB2有效

专利信息
申请号: 201910040588.6 申请日: 2019-01-16
公开(公告)号: CN109665848B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 郭伟明;张岩;江泽斌;吴利翔;林华泰 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/58;C04B35/622
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 杨晓松
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 超高温 sic hfb base sub
【权利要求书】:

1.一种超高温SiC-HfB2复合陶瓷,其特征在于,所述超高温SiC-HfB2复合陶瓷是将SiC粉末、HfO2粉末、Ta2O5粉末和无定型硼粉加入溶剂和球磨介质进行混合,干燥后得到混合粉体,将混合粉体模压制成的混合粉末坯体,在真空条件下进行热处理,先升温至900~1300℃保温Ⅰ,再升温至1500~1800℃保温Ⅱ,进行真空热处理得复合SiC-HfB2粉末,采用放电等离子烧结将所得粉末升温至1000~1400℃时充入保护气氛,然后升温至1800~2200℃煅烧制得超高温SiC-HfB2复合陶瓷;所述SiC、HfO2和Ta2O5的摩尔比为(30~40):(5~15):(0~2),且Ta2O5不为零,所述无定型硼与HfO2的摩尔比为(3~5):1,无定型硼粉与Ta2O5摩尔比为(8~10):1;所述SiC粉末、HfO2粉末和Ta2O5粉末的纯度均99.9%,所述SiC粉末、HfO2粉末和Ta2O5粉末的粒径均为1~2μm;所述无定型硼粉的纯度为95~95.6%,所述无定型硼粉的粒径为1~2μm。

2.根据权利要求1所述的超高温SiC-HfB2复合陶瓷,其特征在于,所述的SiC-HfB2的粒径为0.1~0.85µm,纯度为99.0~99.9wt%,氧含量为0.1~0.5wt%。

3.根据权利要求1所述的超高温SiC-HfB2复合陶瓷,其特征在于,所述SiC-HfB2复合陶瓷的相对密度99%,晶粒为1.24~2.1µm,室温强度400~1000MPa,所述SiC-HfB2复合陶瓷在1000~1500℃的时高温强度为320~800MPa,该陶瓷在1000~1500℃热处理后重量变化率为0.3~2%。

4.根据权利要求1所述的超高温SiC-HfB2复合陶瓷,其特征在于,所述溶剂为乙醇、丙醇、甲醇或丙酮;所述保护气氛为N2或Ar。

5.根据权利要求1所述的超高温SiC-HfB2复合陶瓷,其特征在于,所述升温至900~1300℃和升温至1500~1800℃时的速率均为5~20℃/min,所述保温Ⅰ和保温Ⅱ的时间均为0.5~2h;所述煅烧的时间为1~30min,所述煅烧的压力为10~100MPa,所述升温至1800~2200℃时的升温的速率为100~400℃/min。

6.根据权利要求1-5任一项所述的超高温SiC-HfB2复合陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下具体步骤:

S1. 将SiC粉末、HfO2粉末、Ta2O5粉末和无定型硼粉为原料,加入溶剂和球磨介质进行混合,在球磨机上混合10~48h,干燥后获得混合粉体;

S2. 将混合粉体模压后的坯体放入石墨坩埚中,以5~20℃/min的速率升温至900~1300℃保温0.5~2h,然后再以5~20℃/min的速率升温至1500~1800℃保温0.5~2h,获得SiC-HfB2复合粉末;

S3. 将步骤S2获得的粉末放入石墨模具中,采用放电等离子烧结以100~400℃/min速率升温至1000~1400℃时充保护气氛,再以100~400℃/min速率升温至1800~2200℃,保温1~30min,加压10~100MPa煅烧,制得超高温SiC-HfB2复合陶瓷。

7.权利要求1~5任一项所述超高温SiC-HfB2复合陶瓷在超高温抗氧化领域中的应用。

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