[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201910040724.1 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN109742127B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 徐理智;柯聪盈;许雅婷;薛芷苓;王万仓;陈勇志;胡克龙;刘俊欣 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,包括:
一第一元件基板;
相邻的一第一发光元件及一第二发光元件,配置于该第一元件基板上且与该第一元件基板电性连接,其中该第一发光元件包括一第一发光层,且该第二发光元件包括一第二发光层;
一第一无机封装层,覆盖该第一发光元件及该第二发光元件;
一有机封装层,配置于该第一无机封装层上,其中该有机封装层具有一第一开口,该第一开口位于该第一发光元件的该第一发光层与该第二发光元件的该第二发光层之间,其中所述有机封装层为经图案化的膜层;
一第二无机封装层,配置于该有机封装层上;以及
一第二元件基板,配置于该第一元件基板下方,其中该第一元件基板包括一第一主动元件,电性连接于该第一发光元件,该第二元件基板包括一第二主动元件,电性连接于该第二发光元件。
2.如权利要求1所述的像素结构,其中该有机封装层具有相对设置的一第一表面及一第二表面,该第一开口贯穿该第一表面及该第二表面。
3.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一元件基板具有相对设置的一第三表面及一第四表面,该第一元件基板具有一第二开口,该第二开口贯穿该第三表面及该第四表面且与该第一开口重叠。
4.如权利要求1所述的像素结构,其中该第二元件基板具有相对设置的一第五表面及一第六表面,该第二元件基板具有一第三开口,该第三开口贯穿该第五表面及该第六表面且与该第一开口重叠。
5.如权利要求1所述的像素结构,其中,
该第一开口的邻近于该第一发光元件的一第一侧壁于该第一元件基板上的垂直投影与该第一发光层的边缘于该第一元件基板上的垂直投影相距一第一距离,以及
该第一距离大于或等于该有机封装层的厚度。
6.一种像素结构,包括:
一第一元件基板,具有相对设置的一第一表面及一第二表面且包括一第一开口,其中该第一开口贯穿该第一表面及该第二表面;
相邻的一第一发光元件及一第二发光元件,配置于该第一元件基板上且与该第一元件基板电性连接,其中该第一发光元件包括一第一发光层,该第二发光元件包括一第二发光层,且该第一开口位于该第一发光元件的该第一发光层与该第二发光元件的该第二发光层之间;
一封装结构层,覆盖该第一发光元件及该第二发光元件;以及
一第二元件基板,配置于该第一元件基板下方,其中该第一元件基板包括一第一主动元件,电性连接于该第一发光元件,该第二元件基板包括一第二主动元件,电性连接于该第二发光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的