[发明专利]一种电泳沉积快速制备二维MXene膜的方法有效
| 申请号： | 201910041064.9 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109666964B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 魏嫣莹;邓俊杰;王海辉;李理波;卢纵 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电泳 沉积 快速 制备 二维 mxene 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电泳沉积快速制备二维MXene膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将6g氟化锂加入100mL6mol/L的盐酸溶液中，搅拌均匀，搅拌的转速为350rpm，再加入5gTi3AlC2粉末，搅拌反应36h，在2500rpm条件下离心洗涤，至上层溶液pH 呈中性，然后在50℃下干燥48小时，得到Ti3C2粉末；离心的时间为10min；
(2)将1gTi3C2粉末加入500mL去离子水中，超声1小时，在2500rpm下离心1h，吸取上层液体得到二维MXene纳米片的溶液，浓度为2mg/mL；
(3)取40mL步骤(2)所得MXene纳米片溶液，加入10mL水，在溶液插入工作电极基底和对电极，施加15V直流电压，5min后取出，真空干燥，获得MXene膜；
步骤（3）中所述电极基底为导电带孔基底。
2.一种由权利要求1所述方法得到的二维MXene膜。
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