[发明专利]基于二维异质结光波长诱导的光电存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二维材料异质结的不同光波长诱导的非易失光电存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

（1）在衬底上制备第一层二维材料薄膜，作为光吸收层；所述衬底为带有氧化绝缘层的高掺杂硅衬底；

（2）在第一层二维材料上转移第二层二维双极性材料，作为器件的沟道层；

（3）在生长了第二层二维双极性材料的样品上形成一定图形的金属电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述氧化绝缘层厚度为30至40纳米；所述二维材料薄膜厚度为8-15纳米；

所述氧化绝缘层材料为氧化铝或氧化铪。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述二维材料薄膜通过两种方法制备：一种是通过在块状材料上机械剥离的方法直接获取；另一种是通过化学气相沉积生长大面积并可控层数的薄膜。

4.根据权利要求1、2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述二维材料为六方氮化硼。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述二维双极性材料为硒化钨材料。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述二维双极性材料的转移方法为干法转移；所述二维双极性材料的厚度不超出10纳米。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述形成金属电极具体方法包括：采用光刻工艺在样品上将光刻胶曝光成所需的电极图形；然后在样品上淀积金属形成电极。

8. 根据权利要求7 所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述光刻工艺为紫外光刻工艺或者电子束光刻工艺；所述淀积金属的方法可以使用物理气相沉积或电子束蒸发。

9. 根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述金属为Au、Cr 、Ag或Pt。

10.由权利要求1-9之一所述制备方法得到的基于二维材料异质结的不同光波长诱导的非易失光电存储器。