[发明专利]研磨头施压参数的检测方法及系统在审

专利信息
申请号: 201910042440.6 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN111451936A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 古進忠;彭竑凯;宋受壮 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: B24B49/00 分类号: B24B49/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 研磨 施压 参数 检测 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种研磨头施压参数的检测方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一待检测研磨头;

设定所述待检测研磨头的使用模式,以及基于所述使用模式和预先建立的数据库,将所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数设定为第一设定值,其中,所述数据库包括研磨头的至少一种使用模式,以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围;

在所述待检测研磨头上放置薄膜感测片,并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值对所述薄膜感测片施压,以由所述薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数,并验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值;

当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时,摘除所述薄膜感测片,并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。

2.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法,其特征在于,在设定所述待检测研磨头的使用模式之前,所述方法还包括:

建立所述数据库;

其中,所述数据库的建立方法包括:步骤一,设定所述研磨头的使用模式以及设定所述研磨头在所述使用模式下的施压参数为第二设定值,并在研磨头上放置薄膜感测片,利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值对所述薄膜感测片施压,以由所述薄膜感测片检测所述研磨头的第二实际施压参数;

步骤二,摘除所述薄膜感测片,并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值研磨晶圆,并记录研磨后的晶圆是否满足工艺要求;若满足,则所述第二实际施压参数为合格施压参数,并收集所述合格施压参数;

以及,在同一使用模式下循环执行步骤一和步骤二,以获取多个合格施压参数,并在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值,构成合格施压参数范围;

将所述研磨头的使用模式与所述合格施压参数范围对应存储至数据库。

3.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法,其特征在于,基于所述使用模式和预先建立的数据库,设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值的方法包括:

基于所述待检测研磨头的使用模式,从所述数据库中确定对应的合格施压参数范围;

基于确定的所述对应的合格施压参数范围设定所述第一设定值,所述第一设定值介于所述对应的合格施压参数范围内。

4.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法,其特征在于,当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时,调整所述研磨头的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值;

摘除所述薄膜感测片,并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。

5.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法,其特征在于,所述待检测研磨头包括多个同心环形区域,每一环形区域构成独立研磨区域,当利用所述待检测研磨头研磨晶圆时,所述独立研磨区域独立地向所述晶圆施压;

所述研磨头的使用模式包括用于施压的独立研磨区域的位置和个数,所述研磨头的合格施压参数范围为用于施压的独立研磨区域施压参数的合格范围;所述研磨头的第一设定值包括各个用于施压的独立研磨区域的第一设定值。

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