[发明专利]一种核壳结构Ga2 有效
| 申请号： | 201910042497.6 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109607597B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张法碧;肖骁;孙巾寓;赵昀云;张秀云;李海鸥;陈永和;李琦;肖功利;蒋行国;翟江辉;孙堂友;邓艳容 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C01G15/00 | 分类号： | C01G15/00 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 石燕妮 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 ga base sub | ||
本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
技术领域
本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法。
背景技术
随着人类社会对信息量需求的不断增加，微电子技术正向它的“极限”挑战，因而基于低维材料的量子力学效应的纳米电子学、光电子学、量子计算和量子通信等正受到广泛的重视，低维材料以成为当前材料学研究的热点之一。
低维材料通指材料的线度比电子的德布罗意波长或电子的平均自由程短的材料，即电子在运动时受到了限制，常常包括三维体材料之外的二维、一维和零维材料，其具有广阔的应用潜力，可能应用于包括基于纳米线的场效应晶体管 (nw-fet)在内的器件，气体传感器，太阳能盲光电探测器等。众所周知，在纳米结构上制备气体传感器等器件，由于表面体积比高，在灵敏度和响应时间上都有很大的优势。
Ga2O3是一种禁带宽度在4.7～4.9eV的宽禁带半导体氧化物，具有良好的热稳定性和化学稳定性，在大功率，高电压和高电流密度的设备上具有良好的应用前景，此外在电子纳米/微器件、透明导电氧化物、紫外和气体传感器的光学发射体等光电领域也有着广阔的应用前景。
In2O3是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度3.55～ 3.75eV、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用，将Ga2O3和In2O3掺杂在一起，制备出一种融合各自的优点，且性能优异的新材料是本发明的主要内容。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：
一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳。
此外本发明还公开了上述一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法。包括以下步骤：
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