[发明专利]数据储存装置及其电压保护方法在审
申请号: | 201910043456.9 | 申请日: | 2014-07-10 |
公开(公告)号: | CN109767803A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 包镒华 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/22 | 分类号: | G11C16/22 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据储存装置 控制器 快闪存储器 电压保护 写入命令 储存数据 供应电压 主机接收 禁能 主机 写入 | ||
本发明提供一种数据储存装置及其电压保护方法,该数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器用以储存数据。控制器用以接收来自一主机用以致使上述控制器对上述快闪存储器进行写入的一写入命令,以及当上述数据储存装置所接收的一供应电压超过一既定范围时,上述控制器禁能自上述主机接收的上述写入命令。
本申请是申请号为“201410327489.3”、申请日为2014年7月10日、题为“数据储存装置及其电压保护方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明是关于一种存储器装置的电压保护方法;特别是关于一种根据供应电压进行电压保护的方法。
背景技术
快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置,以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例,常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)、嵌入式快闪存储器模块(eMMC)…等使用。
快闪存储器(如,NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks),其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极,可捕捉的电荷以储存数据。然而,储存于浮置栅极的电荷会由于快闪存储器的操作以及各种环境参数,自浮置栅极流失,造成数据读取或者写入的错误。
发明内容
本发明提供一种数据储存装置。该数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器用以储存数据。控制器用以接收来自一主机用以致使上述控制器对上述快闪存储器进行写入的一写入命令,以及当上述数据储存装置所接收的一供应电压超过一既定范围时,上述控制器禁能自上述主机接收的上述写入命令。
本发明提供一种电压保护方法,适用于具有一快闪存储器的一数据储存装置。存取方法包括:判断上述数据储存装置所接收的一供应电压是否超过一既定范围;以及当上述供应电压超过上述既定范围时,禁能自一主机接收用以对上述快闪存储器进行写入的至少一写入命令。
本发明还提供一种数据储存装置包括一快闪存储器、一电压判断装置以及一控制器。快闪存储器用以储存数据。电压判断装置用以检测数据储存装置所接收的一供应电压。控制器用以接收来自一主机用以致使控制器对快闪存储器进行写入的一写入命令,以及当供应电压超过一既定范围时,执行一限制模式,其中在限制模式中,控制器禁能所有自主机接收的写入命令。在另一实施例中,控制器更用以接收来自主机用以致使控制器对快闪存储器进行读取的一读取命令,以及在限制模式中,控制器禁能所有自主机接收的读取命令。
另外,当供应电压超过既定范围时,控制器更用以产生一警告信号,并将警告信号传送至主机,以表示禁止对快闪存储器进行存取的信息。在一实施例中,控制器更用以每隔一既定周期,读取电压判断装置以获得相应于当下的供应电压。控制器更用以当所读取的供应电压超过既定范围时,启动限制模式,并且用以当所读取的供应电压在既定范围内时,关闭限制模式。
本发明亦提供一种电压保护方法,适用于具有一快闪存储器的一数据储存装置。存取方法包括:判断数据储存装置所接收的一供应电压是否超过一既定范围;以及当供应电压超过既定范围时,开启一限制模式,以禁能所有自一主机接收用以对快闪存储器进行写入的至少一写入命令。在另一实施例中,电压保护方法更包括在限制模式中,禁能所有自主机接收用以对快闪存储器进行读取的至少一读取命令。在另一实施例中,电压保护方法更包括每隔一既定周期,读取一电压判断装置以获得相应于当下的供应电压;当供应电压超过既定范围时,产生一警告信号;以及将警告信号传送至主机,以表示禁止对快闪存储器进行存取的信息,其中当所读取的供应电压在既定范围内时,关闭限制模式。
附图说明
图1是本发明的一种实施例的电子系统的方块图。
图2是本发明的一种实施例的电压保护方法的流程图。
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